Nowy obiekt będzie prowadzić zaawansowane badania nad urządzeniami i procesami dla kolejnych generacji pamięci i półprzewodników systemowych, a także opracowywać nowe technologie w oparciu o długoterminowy plan rozwoju.
Wraz z ponad stoma pracownikami w ceremonii położenia kamienia węgielnego udział wzięli: wiceprezes Samsung Electronics - Jay Y. Lee, prezes i CEO - Kye Hyun Kyung, prezes działu pamięci - Jung-Bae Lee, prezes działu foundry - Siyoung Choi oraz prezes działu S.LSI - Yong-In Park.
Kampus Giheung firmy Samsung Electronics, położony na południe od Seulu w pobliżu należącego do działu Device Solutions kampusu Hwaseong, jest miejscem powstania w 1992 r. pierwszej na świecie pamięci DRAM 64 MB, co umożliwiło koreańskiej firmie objęcie pozycji lidera w dziedzinie półprzewodników. Oczekuje się, że nowy ośrodek osiągnie pełną synergię działalności z linią badawczo-rozwojową w Hwaseong oraz największym na świecie kompleksem produkcji półprzewodników w Pyeongtaek.
fot. Samsung Newsroom
Źródło: Samsung
