Samsung Electronics zainwestuje 15 miliardów dolarów w budowę nowego kompleksu badawczo-rozwojowego
| Gospodarka AktualnościW obrębie kampusu Giheung w Korei firma Samsung Electronics rozpoczęła budowę nowego kompleksu badawczo-rozwojowego. Celem inwestycji wycenionej na około 20 bln KRW, czyli 15 mld USD, jest pokonanie ograniczeń w skalowaniu półprzewodników oraz umocnienie pozycji lidera w dziedzinie najnowocześniejszych technologii półprzewodnikowych. Kompleks ma powstać do roku 2028 i zająć powierzchnię około 109 tys. m².
Nowy obiekt będzie prowadzić zaawansowane badania nad urządzeniami i procesami dla kolejnych generacji pamięci i półprzewodników systemowych, a także opracowywać nowe technologie w oparciu o długoterminowy plan rozwoju.
Wraz z ponad stoma pracownikami w ceremonii położenia kamienia węgielnego udział wzięli: wiceprezes Samsung Electronics - Jay Y. Lee, prezes i CEO - Kye Hyun Kyung, prezes działu pamięci - Jung-Bae Lee, prezes działu foundry - Siyoung Choi oraz prezes działu S.LSI - Yong-In Park.
Kampus Giheung firmy Samsung Electronics, położony na południe od Seulu w pobliżu należącego do działu Device Solutions kampusu Hwaseong, jest miejscem powstania w 1992 r. pierwszej na świecie pamięci DRAM 64 MB, co umożliwiło koreańskiej firmie objęcie pozycji lidera w dziedzinie półprzewodników. Oczekuje się, że nowy ośrodek osiągnie pełną synergię działalności z linią badawczo-rozwojową w Hwaseong oraz największym na świecie kompleksem produkcji półprzewodników w Pyeongtaek.
fot. Samsung Newsroom
źródło: Samsung
