Vishay Intertechnology 600-woltowe MOSFETy z połączeniem Kelvina na źródle

Do oferty firmy Vishay Intertechnology trafiły 4 nowe 600-woltowe tranzystory MOSFET E Series do zasilaczy wysokoprądowych, zamykane w obudowach PowerPAK 8x8. Stanowią one mniejszą alternatywę dla tranzystorów produkowanych w obudowach TO-220 i TO-263. Zawierają dużą elektrodę drenu zmniejszającą rezystancję termiczną oraz połączenie Kelvina ograniczające wpływ indukcyjności połączeń w pętli sterowania bramką.

Konstrukcja obudowy PowerPAK 8x8 pozwala na wykonanie jednego z wyprowadzeń źródła jako specjalnego połączenia w układzie Kelvina separującego ścieżkę powrotną sterowania bramki od terminala wysokoprądowego. Zapobiega to ograniczaniu napięcia sterującego o wartość L x di/dt pojawiającą się w linii wysokoprądowej, a co za tym idzie umożliwia szybsze przełączanie tranzystora i zwiększa odporność na indukowane zaburzenia.

Nowe modele SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E i SiHH11N60E, oparte na technologii superzłączowej stosowanej w tranzystorach serii E cechują się małą rezystancją w stanie On, wynoszącą od 0,135 Ω @ V_GS= 10 V, bardzo małym ładunkiem bramki wynoszącym od 31 nC i małym współczynnikiem FOM (R_DS(on) * Qg). Cechy te zapewniają bardzo małe straty na przewodzenie i przełączanie oraz dużą sprawność energetyczną w układach korekcji PFC i przetwornicach stosowanych w zasilaczach serwerów, systemów telekomunikacyjnych, instalacji oświetleniowych, układów napędowych, falowników, grzejników indukcyjnych i spawarek. Dodatkową zaletą jest wytrzymałość na duże impulsy energetyczne w trybie przebicia lawinowego i komutacyjnym, potwierdzone przeprowadzonymi testami UIS.