Ultra-szybki sterownik tranzystorów MOSFET o dużym prądzie wyjściowym

Do oferty firmy IXYS wchodzi ultra-szybki sterownik tranzystorów MOSFET, oznaczony symbolem IXRFD615, zaprojektowany do pracy w układzie low-side. Jest to układ zrealizowany w technologii CMOS, przeznaczony do pracy w aplikacjach wymagających generowania krótkich impulsów o małych czasach narastania i opadania zboczy, których przykładem mogą być generatory RF klasy D i E, zasilacze impulsowe o częstotliwości taktowania rzędu MHz, sterowniki transformatorów impulsowych, sterowniki diod laserowych i generatory impulsów.

IXRFD615 charakteryzuje się wydajnością prądową ±15 A i czasami narastania/opadania poniżej 5 ns. Może pracować przy minimalnej długości impulsu równej 8 ns.

Zapewnia izolację powyżej 2500 V i bardzo dobre parametry termiczne. Zawiera wejście kompatybilne z poziomami napięć TTL i CMOS.

Pozostałe cechy:

• odporność na tzw. zatrzaskiwanie (latch up) w całym zakresie dopuszczalnych parametrów pracy,
• małogabarytowa obudowa SMD o małej indukcyjności pasożytniczej,
• małe wewnętrzne opóźnienia sygnału, eliminujące równoczesny przepływ prądu przez oba tranzystory w stopniu wyjściowym (shoot-through),
• mała impedancja wyjściowa,
• mały prąd spoczynkowy,
• możliwość sterowania obciążeń o charakterze pojemnościowym.