Komponenty / Produkty

650-woltowe diody Schottky’ego SiC odporne na duże prądy udarowe
Podzespoły pasywne

650-woltowe diody Schottky’ego SiC odporne na duże prądy udarowe

Podwójne cewki wysokonapięciowe 1:1 na zakres temperatur pracy do +125°C
Podzespoły pasywne
Podwójne cewki wysokonapięciowe 1:1 na zakres temperatur pracy do +125°C
Firma Wurth Elektronik eiSos dodaje do oferty cewek indukcyjnych 9 nowych modeli serii WE-TDC HV z podwójnym uzwojeniem 1:1, zamykanych w ekranowanych obudowach SMD rozmiaru 8038 i 8018. Są to cewki miniaturowe, a zarazem wysokonapięciowe, charakteryzujące się znamionowym napięciem pracy 250 V rms i izolacją na poziomie 2 kV.
Niskoprofilowe cewki indukcyjne na zakres temperatur pracy od -55 do +155°C
Podzespoły pasywne
Niskoprofilowe cewki indukcyjne na zakres temperatur pracy od -55 do +155°C
Oferta cewek indukcyjnych z kwalifikacją AEC-Q200 z oferty firmy TT Electronics powiększyła się o kolejną serię. Nowe cewki HA74 wyróżniają się małymi gabarytami i szerokim zakresem dopuszczalnych temperatur pracy od -55 do +155°C. Zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w samochodowych przetwornicach DC-DC o małych gabarytach i dużej gęstości energii, pracujących z częstotliwością taktowania do 3 MHz.
Pierwsza na rynku terabajtowa pamięć Flash eUFS
Podzespoły półprzewodnikowe
Pierwsza na rynku terabajtowa pamięć Flash eUFS
Firma Samsung opracowała pierwszą na rynku pamięć eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 1 TB, oferującą 10-krotnie szybszy transfer danych od typowych kart microSD. Układ jest produkowany w obudowie o wymiarach 13,0 x 11,5 mm i bazuje na 16-warstwowej strukturze V-NAND. Umożliwia zapis 260 10-minutowych plików wideo formatu 4K UHD (3840 x 2160).
Małogabarytowy moduł komunikacyjny 802.15.4 z mikroprocesorem ARM Cortex M0+
Podzespoły półprzewodnikowe
Małogabarytowy moduł komunikacyjny 802.15.4 z mikroprocesorem ARM Cortex M0+
ATSAMR30M18A to małogabarytowy moduł komunikacyjny, wyposażony w sekcję radiową 802.15.4 kompatybilną z wymogami FCC/ETSI oraz mikroprocesor ARM Cortex M0+. Pracuje w zakresie sub-GHz pokrywającym pasma 780 MHz (Chiny), 868 MHz (Europa) i 915 MHz (Ameryka Północna). Obsługuje protokoły bazujące na IEEE 802.15.4 PHY, np. 6LoWPAN, Zigbee czy MiWi opracowany przez firmę Microchip.
Warystory wielowarstwowe SMD na zakres napięć znamionowych od 3 do 170 V
Podzespoły pasywne
Warystory wielowarstwowe SMD na zakres napięć znamionowych od 3 do 170 V
Firma Stackpole wprowadza do sprzedaży serię warystorów wielowarstwowych ZV zapewniających ochronę niskonapięciowych podzespołów elektronicznych przed przepięciami. Elementy te są produkowane w obudowach SMD rozmiaru 0603, 0805, 1206, 1210, 1812 i 2220 na zakres napięć znamionowych 2...130 VAC rms i 3...170 VDC. Realizują zabezpieczenie dwukierunkowe, zgodnie z wymogami IEC 1000-4-2, MIL-STD 883C Method 3015.7 i innych norm odnośnie zabezpieczeń przed wyładowaniami ESD.
Izolatory cyfrowe odporne na promieniowanie jonizujące
Podzespoły półprzewodnikowe
Izolatory cyfrowe odporne na promieniowanie jonizujące
Renesas Electronics powiększa ofertę izolatorów cyfrowych GMR o dwie nowe wersje odporne na promieniowanie jonizujące: ISL71610M z wejściem pasywnym i ISL71710M z wejściem aktywnym. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania oraz interfejsach RS-422/485 i CAN małych satelitów niskoorbitowych (LEO SmallSat) komunikacyjnych i obserwacyjnych.
Półmostkowe moduły IGBT 3,3 kV/450 A do zastosowań w sieciach trakcyjnych i turbinach wiatrowych
Podzespoły energoelektroniczne
Półmostkowe moduły IGBT 3,3 kV/450 A do zastosowań w sieciach trakcyjnych i turbinach wiatrowych
Infineon prezentuje pierwsze półmostkowe moduły IGBT dużej mocy XHP 3 o parametrach znamionowych do 3,3 kV/450 A. Zostały one zaprojektowane do zastosowań m.in. w sieciach trakcyjnych, przemyśle stoczniowym, turbinach wiatrowych i zasilaczach UPS, pozwalając na realizowanie skalowalnych systemów zasilania o najwyższej niezawodności i gęstości mocy.
Podwójny energooszczędny wzmacniacz operacyjny o dużym współczynniku slew-rate
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny energooszczędny wzmacniacz operacyjny o dużym współczynniku slew-rate
Do oferty firmy Mouser wchodzi podwójny, energooszczędny wzmacniacz operacyjny TLV9052 firmy Texas Instruments, zaprojektowany do zastosowań w urządzeniach bateryjnych. Jest to wzmacniacz o paśmie 5 MHz, wyróżniający się dużym współczynnikiem slew-rate (15 V/µs) i małym poborem prądu w stanie spoczynkowym (330 µA na kanał), co czyni go idealnym w układach sterowania silnikami, wzmacniaczach fotodiod, układach kondycjonowania sygnałów i czujnikach prądu low-side pracujących w temperaturach otoczenia od -40 do +125°C.
Subminiaturowe potencjometry suwakowe 500 Ω...50 kΩ o powierzchni montażowej 23,5 x 5,0 mm
Podzespoły elektromechaniczne
Subminiaturowe potencjometry suwakowe 500 Ω...50 kΩ o powierzchni montażowej 23,5 x 5,0 mm
Firma TT Electronics wprowadziła na rynek serię subminiaturowych potencjometrów suwakowych PSM do urządzeń konsumenckich, audio, medycznych i przemysłowych. Występują one w 6 wersjach o rezystancji od 500 Ω do 50 kΩ i błędzie nieliniowości mniejszym od 5%.

Zobaczyć obiekt oczami radaru, czyli dlaczego potrzebujemy laboratorium do pomiarów RCS?

Radar postrzega świat inaczej niż człowiek. Zamiast obrazu tworzonego przez światło widzialne rejestruje echo wysłanej fali elektromagnetycznej. Na odpowiedź radarową obiektu wpływają nie tylko jego rozmiary, lecz także kształt, zastosowane materiały, częstotliwość oraz kierunek obserwacji. Dlatego dwa przedmioty o podobnych wymiarach mogą być dla radaru widoczne zupełnie inaczej. Jak zatem sprawdzić, co radar rzeczywiście "widzi"? Służą temu pomiary RCS, prowadzone między innymi w specjalistycznych laboratoriach, które zapewniają kontrolowane i powtarzalne warunki oraz umożliwiają uzyskanie dokładności wymaganej w danym zastosowaniu.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów