Komponenty / Produkty

Superkondensatory litowo-jonowe VLC
Podzespoły pasywne

Superkondensatory litowo-jonowe VLC

Superzłączowy tranzystor CoolMOS P7 950 V do przetwornic i obwodów PFC
Podzespoły półprzewodnikowe
Superzłączowy tranzystor CoolMOS P7 950 V do przetwornic i obwodów PFC
Zasilacze impulsowe o dużej gęstości mocy wymagają coraz częściej tranzystorów wysokonapięciowych. Firma Infineon dodała do oferty nowy superzłączowy tranzystor MOSFET CoolMOS P7 zaprojektowany specjalnie do tego typu zastosowań. Jest to tranzystor o napięciu znamionowym 950 V, mogący sprostać najostrzejszym kryteriom projektowym obowiązującym w systemach oświetleniowych, ładowarkach, przemysłowych zasilaczach SMPS itp.
Miniaturowy zegar RTC z wbudowanym rezonatorem kwarcowym
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy zegar RTC z wbudowanym rezonatorem kwarcowym
RV-8263-C7 to uniwersalny zegar RTC, zaprojektowany do zastosowań w urządzeniach przenośnych i IoT. W miniaturowej obudowie SMD o wymiarach 3,2 x 1,5 x 0,8 mm zawiera on rezonator kwarcowy 32,768 kHz o dokładności ±20 ppm i zegar RTC, co ułatwia implementację. Uzyskał certyfikat AEC-Q200 pozwalający za zastosowania w aplikacjach samochodowych. Jego zakres dopuszczalnych temperatur pracy wynosi od -40 do +85°C.
2,5-amperowy sterownik tranzystorów MOSFET/IGBT o dużej sprawności
Podzespoły półprzewodnikowe
2,5-amperowy sterownik tranzystorów MOSFET/IGBT o dużej sprawności
Firma Vishay dodała do oferty 2,5-amperowy sterownik tranzystorów MOSFET i IGBT o dużej sprawności, przeznaczony do zastosowań w układach napędowych, falownikach systemów fotowoltaicznych i turbin wiatrowych oraz w innych aplikacjach wysokonapięciowych. VOD3120A jest produkowany w standardowych obudowach DIP-8 i SMD-8. Wyróżnia się bardzo małym spadkiem napięcia i małym poborem prądu, wynoszącym 3,5 mA.
Układy zabezpieczające do systemów IoT wymagających ochrony danych
Podzespoły półprzewodnikowe
Układy zabezpieczające do systemów IoT wymagających ochrony danych
MAX36010 i MAX36011, najnowsze układy zabezpieczające z oferty firmy Maxim, pozwalają obniżyć o 20% ogólny koszt podzespołów i ponad dwukrotnie skrócić czas projektowania w stosunku do wcześniejszych wersji. Oferują funkcje szyfrowania, bezpieczną pamięć wewnętrzną oraz zabezpieczenie przed atakami fizycznymi, a przy tym nie wymagają od projektanta specjalistycznej wiedzy z zakresu mechanizmów ochrony danych.
Pierwszy samochodowy koncentrator USB 3.1 z obsługą połączeń USB-C
Podzespoły półprzewodnikowe
Pierwszy samochodowy koncentrator USB 3.1 z obsługą połączeń USB-C
Firma Microchip zaprojektowała nowy typ koncentratora USB, mogącego znaleźć zastosowanie m.in. w aplikacjach samochodowych do szybkiego transferu strumieni wideo i danych. USB7002 SmartHub zawiera 4 porty downstream zgodne ze specyfikacją USB 3.1. Obsługuje szybkość transmisji 5 Gbps w trybie SuperSpeed oraz wcześniejsze tryby 480 Mbps (Hi-Speed), 12 Mbps (Full-Speed) i 1.5 Mbps (Low-Speed) na wszystkich portach, dzięki zintegrowanemu kontrolerowi USB 2.0.
Kondensatory foliowe 0,1...10 F/100...500 V<sub>DC</sub> do pracy w temperaturach do 125&deg;C
Podzespoły pasywne
Kondensatory foliowe 0,1...10 F/100...500 VDC do pracy w temperaturach do 125°C
Cornell Dubilier wprowadza na rynek serię kondensatorów foliowych RA przystosowanych do pracy w zakresie temperatur otoczenia od -55 do +125°C. Są one produkowane na bazie metalizowanej folii poliestrowej z impregnowanym uszczelniaczem, eliminującym konieczność stosowania obudowy.
Bezpieczniki ceramiczne Ø6,3 x 32 mm do obwodów z dużymi prądami rozruchowymi
Podzespoły pasywne
Bezpieczniki ceramiczne Ø6,3 x 32 mm do obwodów z dużymi prądami rozruchowymi
Firma Schurter dodała do oferty nową serię bezpieczników ceramicznych SUT-H zaprojektowanych specjalnie do obwodów jednofazowych z dużymi prądami rozruchowymi. Są to bezpieczniki o wymiarach Ø6,3 x 32 mm, produkowane na zakres prądów znamionowych od 10 do 50 A. W stosunku do standardowych bezpieczników serii SUT, charakteryzują się większą całką Joule'a (i²t), zwiększającą odporność na duże impulsy prądowe.
Superzłączowy tranzystor MOSFET 600 V/34 A o rekordowo małym współczynniku FOM
Podzespoły półprzewodnikowe
Superzłączowy tranzystor MOSFET 600 V/34 A o rekordowo małym współczynniku FOM
Oferta superzłączowych tranzystorów MOSFET serii E firmy Vishay powiększyła się o nowy model o napięciu znamionowym 600 V, oznaczony symbolem SiHH068N60E. Jest to tranzystor n-kanałowy wyróżniający się rekordowo małym współczynnikiem FOM (RDS(ON)*Qg), wynoszącym zaledwie 3,1 Ω*nC, zmniejszającym straty przy pracy impulsowej. Jest zamykany w obudowie PowerPAK 8x8.
Tranzystor IGBT 1350 V/20 A z obwodami zabezpieczającymi do indukcyjnych systemów grzewczych
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystor IGBT 1350 V/20 A z obwodami zabezpieczającymi do indukcyjnych systemów grzewczych
Firma Infineon dodała w ostatnim czasie do oferty nowy tranzystor IGBT z wbudowanymi układami zabezpieczającymi, przystosowany do zastosowań w indukcyjnych systemach grzewczych. Model IEWS20R5135IPB charakteryzuje się parametrami znamionowymi 1350 V/20 A.

Informator Rynkowy Elektroniki 2025 już dostępny! Pobierz!

Informator Rynkowy Elektroniki to największe źródło informacji dla polskiego rynku elektroniki. To publikacja przeznaczona dla menadżerów i kadry zarządzającej, ale także dla inżynierów konstruktorów oraz pracowników działów zaopatrzeniowych firm. Znajdź dostawców i producentów! Pozyskaj klientów! Pobierz bezpłatnie!
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów