Podzespoły pasywne
Małogabarytowy oscylator OCXO o dokładności ±0,005 ppb
IQCM-160 to jeden z najnowszych oscylatorów OCXO z oferty firmy IQD Frequency Products, zamykany w hermetycznej obudowie o wymiarach 30 x 25 x 14,6 mm, zajmującej dwukrotnie mniejszą powierzchnię na płytce drukowanej od wcześniejszych wersji. Zawiera wejście synchronizacyjne 1PPS oraz wyjścia 10 MHz i 1PPS.
Podzespoły półprzewodnikowe
Czujniki napięcia zasilającego z manualnym resetem i programowalnym opóźnieniem
Czujniki napięcia zasilającego nowej rodziny TPS3840 umożliwiają monitorowanie napięcia zasilania z zakresu 1,6...4,9 V przy bardzo małym poborze prądu w całym zakresie temperatur pracy. Zawierają manualne wejście Reset i umożliwiają programowanie czasu opóźnienia. Zapewniają krótki czas propagacji na poziomie 30 µs (typ. tpHL).
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny 100-woltowy tranzystor n-MOSFET z wewnętrznym zabezpieczeniem ESD
SSM6N813R to podwójny tranzystor n-MOSFET z wbudowanym zabezpieczeniem przed wyładowaniami ESD do 2 kV HBM, mogący znaleźć zastosowanie m.in. w układach sterowania reflektorów samochodowych z diodami LED, gdzie wymagane są komponenty odporne na przepięcia, a zarazem małogabarytowe. Układ charakteryzuje się napięciem znamionowym 100 V, pozwalającym na sterowanie łańcuchów wielu diod LED.
Podzespoły pasywne
Czujniki ciśnienia MEMS o zakresie pomiarowym od 0,15 psi
BPS110 i BPS120 to czujniki niskiego ciśnienia, wyprodukowane w technologii MEMS zapewniającej dużą dokładność pomiaru przy małych gabarytach. Mogą być wykorzystywane do pomiaru ciśnienia różnicowego i względnego gazów niekorozyjnych. Różnią się rodzajem wyjścia (odpowiednio analogowe i cyfrowe I²C). Są produkowane na trzy zakresy pomiarowe: 0,15 psi, 0,3 psi i 1,0 psi.
Podzespoły półprzewodnikowe
60-woltowy tranzystor MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 1,7 mΩ
SiR626DP to jeden z najbardziej energooszczędnych tranzystorów n-MOSFET z ostatniej oferty firmy Vishay, produkowany w technologii TrenchFET Gen IV. Charakteryzuje się bardzo małą rezystancją RDS(on) wynoszącą zaledwie 1,7 mΩ @ VGS=10 V, mniejszą o 36% od najlepszych pod tym względem tranzystorów wcześniejszej generacji.
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy konwerter DC-DC step-down 400 mA w obudowie 1,4 x 1,1 mm
Firma STMicroelectronics zaprezentowała miniaturowy konwerter DC-DC step-down produkowany w obudowie o powierzchni zaledwie 1,4 x 1,1 mm, mogący znaleźć zastosowanie w aplikacjach IoT: inteligentnych sensorach i miernikach, urządzeniach przenośnych i systemach monitorowania zasobów. Poza małymi gabarytami, ST1PS01 wyróżnia się dużą sprawnością w szerokim zakresie obciążeń, wynoszącą 92% przy pełnym obciążeniu (400 mA) i 95% przy prądzie wyjściowym 1 mA.
Podzespoły pasywne
Łatwe w implementacji, precyzyjne czujniki prądowe AMR o paśmie 1,5 MHz
W odróżnieniu od innych dostępnych na rynku czujników prądowych AMR (Anisotropic Magneto Resistive), najnowsze czujniki dwukierunkowe serii MCx1101 są bardzo łatwe w implementacji; w najprostszej konfiguracji wymagają jedynie 3 zewnętrznych elementów pasywnych. Występują w wersjach na zakres pomiarowy ±5, ±20 i ±50 A i oferują większą dokładność DC i dynamikę od wersji z oferty innych producentów.
Podzespoły półprzewodnikowe
2- i 3-amperowe konwertery DC-DC step-down w miniaturowych obudowach SMD
Firma Diodes dodaje do oferty miniaturowych przetwornic DC-DC step-down cztery nowe wersje: 2-amperowe AP3445 i AP3445L oraz 3-amperowe AP3441 i AP3441L. Pracują one w zakresie napięć wejściowych od 2,5 do 5,5 V, a ich napięcie wyjściowe może być programowane dzielnikiem rezystorowym w zakresie od 0,6 do 5,5 V. Praca w trybie PWM ze stałą częstotliwością taktowania zapewnia dużą stabilność i szybką odpowiedź impulsową. AP3445/L i AP3441/L nie wymagają żadnych zewnętrznych elementów kompensujących.
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowe 40-woltowe tranzystory MOSFET 3 x 3 mm do podsystemów samochodowych
Firma Nexperia wprowadziła do oferty nową serię 16 miniaturowych tranzystorów MOSFET o małej rezystancji RDS(on) i napięciu znamionowym 40 V, produkowanych w technologii Trench 9 i mogących znaleźć zastosowanie m.in. w motoryzacji. Uzyskały one kwalifikację AEC-Q101. Pierwsze dwie wersje, BUK7M3R3-40H i BUK9M3R3-40H są zamykane w obudowach LFPAK33 o powierzchni zaledwie 10,9 mm² i rozstawie wyprowadzeń 0,65 mm.
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
