Podwójny 100-woltowy tranzystor n-MOSFET z wewnętrznym zabezpieczeniem ESD

SSM6N813R to podwójny tranzystor n-MOSFET z wbudowanym zabezpieczeniem przed wyładowaniami ESD do 2 kV HBM, mogący znaleźć zastosowanie m.in. w układach sterowania reflektorów samochodowych z diodami LED, gdzie wymagane są komponenty odporne na przepięcia, a zarazem małogabarytowe. Układ charakteryzuje się napięciem znamionowym 100 V, pozwalającym na sterowanie łańcuchów wielu diod LED.

Jego rezystancja R_DS(on) wynosi 110 mΩ (@ V_GS=4,5 V), dopuszczalny prąd drenu 3,5 A, a maksymalna moc rozpraszana 1,5 W. SSM6N813R jest zamykany w obudowie TSOP6F (2,9 x 2,8 x 0,8 mm) o powierzchni mniejszej o 70% od standardu SOP8. Może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C.