Komponenty / Produkty

Firma Diodes dodaje do oferty miniaturowych przetwornic DC-DC step-down cztery nowe wersje: 2-amperowe AP3445 i AP3445L oraz 3-amperowe AP3441 i AP3441L. Pracują one w zakresie napięć wejściowych od 2,5 do 5,5 V, a ich napięcie wyjściowe może być programowane dzielnikiem rezystorowym w zakresie od 0,6 do 5,5 V. Praca w trybie PWM ze stałą częstotliwością taktowania zapewnia dużą stabilność i szybką odpowiedź impulsową. AP3445/L i AP3441/L nie wymagają żadnych zewnętrznych elementów kompensujących.

Firma Nexperia wprowadziła do oferty nową serię 16 miniaturowych tranzystorów MOSFET o małej rezystancji RDS(on) i napięciu znamionowym 40 V, produkowanych w technologii Trench 9 i mogących znaleźć zastosowanie m.in. w motoryzacji. Uzyskały one kwalifikację AEC-Q101. Pierwsze dwie wersje, BUK7M3R3-40H i BUK9M3R3-40H są zamykane w obudowach LFPAK33 o powierzchni zaledwie 10,9 mm² i rozstawie wyprowadzeń 0,65 mm.

Littelfuse powiększa ofertę półprzewodników o dwie nowe serie diod Schottky'ego 2. generacji, LSIC2SD065CxxA i LSIC2SD065AxxA, produkowanych na podłożach SiC i zamykanych w obudowach odpowiednio DPAK i TO-220-2L. Są to diody o napięciu znamionowym 650 V, charakteryzujące się dużą niezawodnością, małymi stratami, pomijalnym prądem wstecznym i dużą odpornością na prądy udarowe. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101 pozwalającą na zastosowania w motoryzacji. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C.

Firma Wurth Elektronik eiSos dodaje do oferty cewek indukcyjnych 9 nowych modeli serii WE-TDC HV z podwójnym uzwojeniem 1:1, zamykanych w ekranowanych obudowach SMD rozmiaru 8038 i 8018. Są to cewki miniaturowe, a zarazem wysokonapięciowe, charakteryzujące się znamionowym napięciem pracy 250 V rms i izolacją na poziomie 2 kV.

Oferta cewek indukcyjnych z kwalifikacją AEC-Q200 z oferty firmy TT Electronics powiększyła się o kolejną serię. Nowe cewki HA74 wyróżniają się małymi gabarytami i szerokim zakresem dopuszczalnych temperatur pracy od -55 do +155°C. Zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w samochodowych przetwornicach DC-DC o małych gabarytach i dużej gęstości energii, pracujących z częstotliwością taktowania do 3 MHz.

Firma Samsung opracowała pierwszą na rynku pamięć eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 1 TB, oferującą 10-krotnie szybszy transfer danych od typowych kart microSD. Układ jest produkowany w obudowie o wymiarach 13,0 x 11,5 mm i bazuje na 16-warstwowej strukturze V-NAND. Umożliwia zapis 260 10-minutowych plików wideo formatu 4K UHD (3840 x 2160).

ATSAMR30M18A to małogabarytowy moduł komunikacyjny, wyposażony w sekcję radiową 802.15.4 kompatybilną z wymogami FCC/ETSI oraz mikroprocesor ARM Cortex M0+. Pracuje w zakresie sub-GHz pokrywającym pasma 780 MHz (Chiny), 868 MHz (Europa) i 915 MHz (Ameryka Północna). Obsługuje protokoły bazujące na IEEE 802.15.4 PHY, np. 6LoWPAN, Zigbee czy MiWi opracowany przez firmę Microchip.

Firma Stackpole wprowadza do sprzedaży serię warystorów wielowarstwowych ZV zapewniających ochronę niskonapięciowych podzespołów elektronicznych przed przepięciami. Elementy te są produkowane w obudowach SMD rozmiaru 0603, 0805, 1206, 1210, 1812 i 2220 na zakres napięć znamionowych 2...130 VAC rms i 3...170 VDC. Realizują zabezpieczenie dwukierunkowe, zgodnie z wymogami IEC 1000-4-2, MIL-STD 883C Method 3015.7 i innych norm odnośnie zabezpieczeń przed wyładowaniami ESD.

Renesas Electronics powiększa ofertę izolatorów cyfrowych GMR o dwie nowe wersje odporne na promieniowanie jonizujące: ISL71610M z wejściem pasywnym i ISL71710M z wejściem aktywnym. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania oraz interfejsach RS-422/485 i CAN małych satelitów niskoorbitowych (LEO SmallSat) komunikacyjnych i obserwacyjnych.