Podzespoły pasywne
Niskoprofilowe cewki indukcyjne na zakres temperatur pracy od -55 do +155°C
Oferta cewek indukcyjnych z kwalifikacją AEC-Q200 z oferty firmy TT Electronics powiększyła się o kolejną serię. Nowe cewki HA74 wyróżniają się małymi gabarytami i szerokim zakresem dopuszczalnych temperatur pracy od -55 do +155°C. Zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w samochodowych przetwornicach DC-DC o małych gabarytach i dużej gęstości energii, pracujących z częstotliwością taktowania do 3 MHz.
Podzespoły półprzewodnikowe
Pierwsza na rynku terabajtowa pamięć Flash eUFS
Firma Samsung opracowała pierwszą na rynku pamięć eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 1 TB, oferującą 10-krotnie szybszy transfer danych od typowych kart microSD. Układ jest produkowany w obudowie o wymiarach 13,0 x 11,5 mm i bazuje na 16-warstwowej strukturze V-NAND. Umożliwia zapis 260 10-minutowych plików wideo formatu 4K UHD (3840 x 2160).
Podzespoły półprzewodnikowe
Małogabarytowy moduł komunikacyjny 802.15.4 z mikroprocesorem ARM Cortex M0+
ATSAMR30M18A to małogabarytowy moduł komunikacyjny, wyposażony w sekcję radiową 802.15.4 kompatybilną z wymogami FCC/ETSI oraz mikroprocesor ARM Cortex M0+. Pracuje w zakresie sub-GHz pokrywającym pasma 780 MHz (Chiny), 868 MHz (Europa) i 915 MHz (Ameryka Północna). Obsługuje protokoły bazujące na IEEE 802.15.4 PHY, np. 6LoWPAN, Zigbee czy MiWi opracowany przez firmę Microchip.
Podzespoły pasywne
Warystory wielowarstwowe SMD na zakres napięć znamionowych od 3 do 170 V
Firma Stackpole wprowadza do sprzedaży serię warystorów wielowarstwowych ZV zapewniających ochronę niskonapięciowych podzespołów elektronicznych przed przepięciami. Elementy te są produkowane w obudowach SMD rozmiaru 0603, 0805, 1206, 1210, 1812 i 2220 na zakres napięć znamionowych 2...130 VAC rms i 3...170 VDC. Realizują zabezpieczenie dwukierunkowe, zgodnie z wymogami IEC 1000-4-2, MIL-STD 883C Method 3015.7 i innych norm odnośnie zabezpieczeń przed wyładowaniami ESD.
Podzespoły półprzewodnikowe
Izolatory cyfrowe odporne na promieniowanie jonizujące
Renesas Electronics powiększa ofertę izolatorów cyfrowych GMR o dwie nowe wersje odporne na promieniowanie jonizujące: ISL71610M z wejściem pasywnym i ISL71710M z wejściem aktywnym. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania oraz interfejsach RS-422/485 i CAN małych satelitów niskoorbitowych (LEO SmallSat) komunikacyjnych i obserwacyjnych.
Podzespoły energoelektroniczne
Półmostkowe moduły IGBT 3,3 kV/450 A do zastosowań w sieciach trakcyjnych i turbinach wiatrowych
Infineon prezentuje pierwsze półmostkowe moduły IGBT dużej mocy XHP 3 o parametrach znamionowych do 3,3 kV/450 A. Zostały one zaprojektowane do zastosowań m.in. w sieciach trakcyjnych, przemyśle stoczniowym, turbinach wiatrowych i zasilaczach UPS, pozwalając na realizowanie skalowalnych systemów zasilania o najwyższej niezawodności i gęstości mocy.
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny energooszczędny wzmacniacz operacyjny o dużym współczynniku slew-rate
Do oferty firmy Mouser wchodzi podwójny, energooszczędny wzmacniacz operacyjny TLV9052 firmy Texas Instruments, zaprojektowany do zastosowań w urządzeniach bateryjnych. Jest to wzmacniacz o paśmie 5 MHz, wyróżniający się dużym współczynnikiem slew-rate (15 V/µs) i małym poborem prądu w stanie spoczynkowym (330 µA na kanał), co czyni go idealnym w układach sterowania silnikami, wzmacniaczach fotodiod, układach kondycjonowania sygnałów i czujnikach prądu low-side pracujących w temperaturach otoczenia od -40 do +125°C.
Podzespoły elektromechaniczne
Subminiaturowe potencjometry suwakowe 500 Ω...50 kΩ o powierzchni montażowej 23,5 x 5,0 mm
Firma TT Electronics wprowadziła na rynek serię subminiaturowych potencjometrów suwakowych PSM do urządzeń konsumenckich, audio, medycznych i przemysłowych. Występują one w 6 wersjach o rezystancji od 500 Ω do 50 kΩ i błędzie nieliniowości mniejszym od 5%.
Podzespoły pasywne
3-amperowe diody Schottky'ego TMBS w obudowach SMF o grubości <1 mm
Do oferty diod Schottky’ego TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) firmy Vishay wchodzą nowe diody o dopuszczalnym prądzie przewodzenia zwiększonym do 3 A, produkowane w niskoprofilowych obudowach SMF (DO-219AB) o powierzchni 3,7 x 1,8 mm i grubości 0,98 mm, mniejszych odpowiednio o 49% i 46% od wcześniejszych 3-amperowych odpowiedników w obudowach SMA.
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
