Podzespoły półprzewodnikowe
Liniowy kontroler zasilania diod LED do współpracy z tranzystorem NPN lub n-MOSFET
BCR601 to liniowy kontroler zasilania diod LED współpracujący z zewnętrznym tranzystorem bipolarnym NPN lub n-MOSFET, pozwalający na pokrycie szerokiego zakresu prądów i mocy wyjściowych. Jest kontrolerem tanim i miniaturowym, charakteryzującym się dużą skalą integracji. Pracuje z optoizolowaną pętlą sprzężenia zwrotnego, regulującą napięcie wyjściowe konwertera DC-DC w obwodzie pierwotnym, co pozwala na optymalne ustalenie napięcia pracy w zależności od potrzeb konkretnej aplikacji.
Podzespoły półprzewodnikowe
10- i 15-amperowe konwertery DC-DC z interfejsem PMBus
ISL8280M i ISL8282M, dwa najnowsze konwertery DC-DC z oferty firmy Renesas, zostały zaprojektowane do zasilania pamięci, procesorów DSP oraz układów FPGA i ASIC. Zapewniają wydajność prądową odpowiednio 10 i 15 A. Zostały wyposażone w interfejs PMBus do konfiguracji i monitorowania parametrów pracy. Zaletą tych układów jest duża gęstość prądu (115 mA/mm²) i duża sprawność, sięgająca 95%. ISL8280M i ISL8282M to konwertery jednowyjściowe, pracujące z napięciem wejściowym od 5 do 16 V i napięciem wyjściowym programowanym w zakresie 0,5...5 V.
Podzespoły półprzewodnikowe
Wielokanałowe głowice w.cz. z bezpośrednim próbkowaniem sygnałów do 6 GHz
Do oferty firmy Texas Instruments wchodzą pierwsze na rynku wielokanałowe głowice w.cz. AFE o paśmie 6 GHz z bezpośrednim próbkowaniem sygnałów, przeznaczone do szerokopasmowych, wieloantenowych systemów komunikacyjnych. Układy te zawierają 14-bitowe przetworniki C/A i A/C o szybkości próbkowania odpowiednio do 9 GSps i 3 GSps. Pozwalają na realizację systemów z bezpośrednim próbkowaniem sygnału w.cz. pracujących w paśmie C, bez potrzeby dołączania dodatkowych stopni konwersji częstotliwości z lokalnymi oscylatorami, mieszaczami, wzmacniaczami i filtrami.
Podzespoły pasywne
Samochodowe cewki chipowe 0,33...2,2 µH z zabezpieczeniem ESD do 1 kV
Murata powiększa rodzinę cewek indukcyjnych DFE zaprojektowanych specjalnie do zastosowań w motoryzacji: zaawansowanych systemach ADAS i informacyjnych oraz komponentach układu napędowego. Nowe serie DFE2HCAH i DFE2MCAH obejmują cewki z kwalifikacją AEC-Q200, zabezpieczone przed wyładowaniami ESD do odpowiednio 1 kV i 500 V. Są one zamykane w obudowach chipowych o wymiarach odpowiednio 2,5 x 2,0 x 1,2 mm oraz 2,0 x 1,6 x 1,2 mm.
Podzespoły pasywne
Miniaturowe bezpieczniki termiczne SMD serii SC o parametrach kontaktu 25 A/9 VDC
Firma Bourns powiększa ofertę bezpieczników termicznych (Thermal Cutoff) o wersje wysokoprądowe, produkowane w mniejszych niż wcześniej obudowach SMD o wymiarach 4,4 x 2,8 x 0,94 mm. Występują one w czterech wersjach różniących się temperaturą progową, wynoszącą 72, 77, 82 lub 85°C (±5°C). Pomimo małych wymiarów, zapewniają parametry znamionowe kontaktów do 25 A/9 VDC.
Podzespoły pasywne
Grubowarstwowe rezystory chipowe 2 MΩ...50 GΩ o napięciu pracy do 3 kV
Firma Vishay rozszerza ofertę podzespołów pasywnych o nową serię chipowych rezystorów grubowarstwowych CRHP o mocy znamionowej do 1,5 W i napięciu pracy do 3000 V. Są one produkowane w 5 wariantach obudów rozmiaru od 1206 do 2512 na szeroki zakres rezystancji od 2 MΩ do 50 GΩ. Charakteryzują się tolerancją od ±0,5% i temperaturowym współczynnikiem rezystancji ±100 ppm/°C.
Podzespoły półprzewodnikowe
1-amperowy konwerter DC-DC o napięciu wejściowym do 100 V
LM5164 to 1-amperowy konwerter DC-DC step-down zaprojektowany do elektroniki przemysłowej i samochodowej, wyróżniający się szerokim zakresem napięć wejściowych od 6 do 100 V, eliminującym konieczność stosowania zewnętrznych elementów ochrony przepięciowej. Do zalet LM5164 należy też zaliczyć łatwą implementację i dużą sprawność w szerokim zakresie obciążeń. Układ zawiera wyjściowe tranzystory MOSFET low- i high-side. Dzięki zastosowanej architekturze COT (constant on-time) zapewnia niemal stałą częstotliwość pracy oraz małe wahania napięcia wyjściowego w funkcji zmian napięcia wejściowego i prądu obciążenia.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory bipolarne NPN i PNP w obudowach o wymiarach 3,3 x 3,3 x 0,85 mm
Do oferty firmy Diodes wchodzi seria pierwszych na rynku tranzystorów bipolarnych zamykanych w niskoprofilowych obudowach PowerDI3333 o grubości 0,85 mm, zajmujących jedynie 30% powierzchni montażowej tranzystorów w standardowych obudowach SOT223 przy równie skutecznym odprowadzaniu ciepła. Są to tranzystory o rozszerzonym do +175°C zakresie dopuszczalnych temperatur pracy, dostępne obecnie w 8 wariantach: po 4 typu NPN (ozn. DXTN07xxxxFG) i PNP (DXTP07xxxxFG).
Podzespoły półprzewodnikowe
40-woltowe tranzystory MOSFET o małych stratach w szerokim zakresie obciążeń
Infineon Technologies prezentuje nową rodzinę 40-woltowych tranzystorów MOSFET OptiMOS 6 zaprojektowanych do zastosowań w zasilaczach impulsowych. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji zapewniają one mniejszą o 30% rezystancję RDS(on) oraz mniejsze współczynniki FOM (Qgd x RDS(on) mniejszy o 46%, Qg x RDS(on) mniejszy o 29%). Powoduje to, że charakteryzują się małymi stratami zarówno w zakresie dużych, jak i małych mocy wyjściowych zasilacza.
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
