Tranzystory bipolarne NPN i PNP w obudowach o wymiarach 3,3 x 3,3 x 0,85 mm
Diodes Incorporated
Do oferty firmy Diodes wchodzi seria pierwszych na rynku tranzystorów bipolarnych zamykanych w niskoprofilowych obudowach PowerDI3333 o grubości 0,85 mm, zajmujących jedynie 30% powierzchni montażowej tranzystorów w standardowych obudowach SOT223 przy równie skutecznym odprowadzaniu ciepła. Są to tranzystory o rozszerzonym do +175°C zakresie dopuszczalnych temperatur pracy, dostępne obecnie w 8 wariantach: po 4 typu NPN (ozn. DXTN07xxxxFG) i PNP (DXTP07xxxxFG).
Pomimo małych gabarytów, charakteryzują się one napięciem przebicia do 100 V i mogą przewodzić prądy o natężeniu do 3 A, co pozwala na zastosowania w regulatorach napięcia (liniowych i LDO), układach sterowania bramek tranzystorów MOSFET i IGBT oraz w przełącznikach zasilania.
|
VCE0 (V) |
IC (A) |
ICM (A) |
PD (W) |
hFE |
VCE (sat.) |
min. fT (MHz) |
RCE (sat.) (mW) |
Odpowiednik SOT223 |
|||
|
min. |
@ IC (A) |
maks. |
@ IC/ICB (A/mA) |
||||||||
|
Tranzystory NPN |
|||||||||||
|
DXTN07025BFG-7 |
25 |
3 |
8 |
2 |
100 |
1 |
400 |
3/300 |
150 |
133 mΩ @3 A |
FZT649 |
|
DXTN07045DFG-7 |
45 |
3 |
6 |
2 |
400 |
1 |
300 |
1/5 |
150 |
300 mΩ @1 A |
FZT689 |
|
DXTN07060BFG-7 |
60 |
3 |
6 |
2 |
100 |
0,5 |
500 |
3/300 |
140 |
167 mΩ @3 A |
FZT651 |
|
DXTN07100BFG-7 |
100 |
2 |
6 |
2 |
100 |
0,5 |
400 |
2/200 |
100 |
100 mΩ @2 A |
FZT653 |
|
Tranzystory PNP |
|||||||||||
|
DXTP07025BFG-7 |
25 |
3 |
8 |
2 |
100 |
1 |
400 |
3/300 |
100 |
133 mΩ @3 A |
FZT749 |
|
DXTP07040CFG-7 |
40 |
3 |
6 |
2 |
250 |
0,5 |
400 |
1/10 |
100 |
400 mΩ @1 A |
FZT789 |
|
DXTP07060BFG-7 |
60 |
3 |
6 |
2 |
100 |
0,5 |
500 |
3/300 |
100 |
167 mΩ @3 A |
FZT751 |
|
DXTP07100BFG-7 |
100 |
2 |
6 |
2 |
100 |
0,5 |
500 |
2/200 |
100 |
250 mΩ @2 A |
FZT753 |
