IGBT
Tranzystory IGBT w ofercie Farnella pokrywają pełne spektrum parametrów napięciowo-prądowych i dostępne są zarówno w postaci pojedynczych elementów dyskretnych w obudowach z końcówkami do lutowania na płytce drukowanej (TO-216)i w obudowach do montażu na radiatorze z zaciskami śrubowymi. Oferta IGBT obejmuje blisko 600 różnych typów elementów. Dla elementów w obudowach TO-220, TO-247, TO-3 i podobnych maksymalny prąd przewodzenia wynosi 60-70A przy napięciu 1,2kV.
Dostawcami tych elementów są głównie firmy takie jak Fairchild Semiconductor, IRF, ST Microelectronics i IXYS. W zakresie elementów o jeszcze większych mocach, a więc tych umieszczonych w prostopadłościennych obudowach modułowych typu ISOTOP, które przykręca się bezpośrednio do radiatora, dostępne są elementy o maksymalnym prądzie sięgającym 130-890A. W zakresie tych produktów dostawcami są głownie firmy Semikron, Vishay i ST Micro.
Moduły IGBT
Oprócz pojedynczych elementów dyskretnych Farnell oferuje konstruktorom energoelektronikom wielotranzystorowe moduły IGBT o rewelacyjnych parametrach. Dostępne są one w wersjach zawierających 2-7 pojedynczych tranzystorów, w układach mostkowych 2-, 4- i 6-tranzystorowych z diodami usprawniającymi.
Moduły występują w obudowach prostopadłościennych, z których dolna metalowa ściana mocowana jest do radiatora, a na górnej znajdują się śrubowe zaciski pod konektory. Popularne moduły maja maksymalną obciążalność rzędu 300A, wersje najsilniejsze nawet 2400A. Maksymalne napięcie pracy wynosi typowo 1,2-1,4kV, a dla elementów z węglika krzemu sięga 3,3kV. Dostawcami modułów IGBT są firmy Fuji, Infineon, Powerex i Semikron.
Tyrystory i triaki
Oferowane tyrystory dużej mocy dostępne są głównie w obudowach pastylkowych, przeznaczonych do zaciśnięcia pomiędzy dwoma płaszczyznami radiatora. W tym zakresie Farnell oferuje produkty firmy Powerex o maksymalnym prądzie przewodzenia sięgającym 1,8kA i napięciu do 1,6kV.
Drugą główna grupę produktów tego typu są tyrystory firmy Crydom w obudowach prostopadłościennych. Oprócz wersji pojedynczych, oferta Crydom zawiera szereg wersji dwuelementowych także par dioda-tyrystor. W zakresie prądów do ok. 100A dostępne są też elementy w obudowach śrubowych firmy IRF.
W zakresie triaków dostępne są elementy o średniej mocy, o obciążalności do kilkunastu amperów, w tradycyjnych obudowach TO-220 przeznaczone głównie do regulacji oświetlenia i sterowania ogrzewaniem. Oferta tyrystorów i triaków w katalogu Farnella liczy w sumie około 1300 pozycji, z czego około jedną trzecią stanową elementy o największej mocy przeznaczone do zastosowań w energoelektronice.
Na te produkty warto zwrócić uwagęModuł IGBT FZ1000R33HL3 firmy Infineon to demonstracja szczytów możliwości współczesnej energoelektroniki. Zawiera on dwa tranzystory z kanałem N o obciążalności 1000A/3300V, pracuje w temperaturze do +150°C, a maksymalny spadek napięcia UCE wynosi 2,3V. Izolacja pomiędzy tranzystorami w obudowie wytrzymuje 6kV.
Moduł IGBT SKM200GB12V firmy Semikron zawiera dla tranzystory IGBT z kanałem N 5. generacji VTrench o obciążalności do 300A/1,2V i zapewnia niski spadek napięcia w stanie przewodzenia UCE(SAT)=1,75V. Może pracować w temperaturze do +125°C i przeznaczony jest do agregatów spawalniczych, zasilaczy UPS i napędów silników dużej mocy. Tranzystor IGBT firmy International Rectifier - AUIRG4PH50S to element z kanałem N kierowany do zastosowań w motoryzacji. Maksymalne napięcie pracy wynosi 1,2kV, prąd 57A. Został umieszczony w typowej niewielkiej obudowie TO- 247. UCE(SAT) wynosi 1,75V
Podwójny moduł tyrystorowy POW-R-BLOK firmy Powerex pozwala na obciążanie prądem do 150A i pracę z napięciem do 1,2kV. Pozwala na zbudowanie sterowanego prostownika do ładowania baterii akumulatorów i jest odporny na udary prądowe do 5kA. Tranzystor MOSFET Fuji Electric 2SK3681-01 w obudowie TO-247 to produkt do układów zasilanych średnim napięciem. Jego obciążalność to 43A/600V przy RDS(ON) = 160mΩ |
Tranzystory MOSFET
Oferta tranzystorów MOSFET dużej mocy obejmuje przede wszystkim elementy o niskiej wartości dopuszczalnego napięcia pracy do ok. 100V. W tym zakresie dostępne są elementy produkowane przez IRF i Fairchilda o maksymalnej obciążalności sięgającej 240A dla napięcia 24V i 180A dla 75V.
Tranzystory te dostępne są w obudowach do montażu przewlekanego typu TO-2xx. W zakresie średnich napięć a więc od 200 do 500V najsilniejsze wersje tranzystorów MOSFET charakteryzują się obciążalnością sięgającą 50A dla 500V, ale typowo jest to raczej mniej rzędu 12-15A/500V, co przekonuje, że tranzystory MOSFET przeznaczone są do aplikacji o mniejszym dopuszczalnym napięciu pracy.
Dostawcami tych elementów o największej mocy wyjściowej w Farnellu są firmy takie jak IRF, Toshiba, Fairchild i Fuji, niemniej asortyment MOSFET-ów liczy ponad 7 tysięcy typów.
Moduły tranzystorów MOSFET
Do zastosowań w konwerterach, prostownikach i zasilaczach o dużej mocy wyjściowej wygodnym rozwiązaniem są moduły wielotranzystorowe zawierające parowane tranzystory przeznaczone do układów półmostkowych i mostkowych. W tym obszarze Farnell proponuje produkty firmy Semikron w obudowach Semitop o maksymalnej obciążalności 80A/100V.
Farnell
www.farnell.com/pl
