500-woltowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji i pojemności bramki

Nowe 500-woltowe tranzystory MOSFET firmy Vishay charakteryzują się małą rezystancją kanału i małym ładunkiem bramki, a co za tym idzie małymi stratami przy pracy impulsowej. Są polecane do zastosowań w obwodach korekcji PFC i modulacji PWM zasilaczy i przetwornic. 

Produkowane są wersje w obudowach TO-220AB (ozn. SiHP16N50C), TO-220 FULLPAK (SiHF16N50C), D2PAK (SiHB16N50C) i TO-247AC (SiHG16N50C). Wszystkie są tranzystorami n-kanałowymi o dopuszczalnym prądzie przewodzenia 16A. Charakteryzują się rezystancją kanału równą 0,38Ω i pojemnością bramki 68nC.

Opracowana przez Vishay technologia Planar Cell oprócz obniżenia rezystancji kanału poprawia odporność tranzystorów na duże impulsy energetyczne w trybach przebicia lawinowego i komutacyjnym.