Małogabarytowa dwukierunkowa dioda do zabezpieczeń ESD do 30 kV

Kategoria produktu: Podzespoły pasywne

Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek nową diodę dwukierunkową realizującą zabezpieczenie przed wyładowaniami ESD do 30 kV przenoszonymi przez kontakt (zgodnie z IEC61000-4-2), zaprojektowaną do zastosowań w urządzeniach przenośnych o dużej gęstości upakowania podzespołów.

Dioda DF2B7ASL zapewnia niskie napięcie powielania lawinowego, wynoszące 11 V na 5-woltowych liniach sygnałowych, co w zestawieniu z jej małą rezystancją dynamiczną zapewnia skuteczną ochronę elementów półprzewodnikowych.

Dioda DF2B7ASL jest zamykana w obudowie SOD-962 (SL2), której wymiary wynoszą zaledwie 0,62 x 0,32 x 0,3 mm.

Pozostałe parametry:

  • prąd szczytowy (IPP): 4 A (IEC61000-4-5),
  • szczytowe wsteczne napięcie pracy (VRWM): 5,5 V,
  • rezystancja dynamiczna (Rdyn): 0,2 ,
  • pojemność resztkowa (CT): typ. 8,5 pF (1 MHz, VR=0 V),
  • napięcie przebicia (VBR): min. 5,8 V (IBR=1 mA),
  • prąd wsteczny (IR): 0,1 A (VRWM=5,5 V).