Małogabarytowa dwukierunkowa dioda do zabezpieczeń ESD do 30 kV

Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek nową diodę dwukierunkową realizującą zabezpieczenie przed wyładowaniami ESD do 30 kV przenoszonymi przez kontakt (zgodnie z IEC61000-4-2), zaprojektowaną do zastosowań w urządzeniach przenośnych o dużej gęstości upakowania podzespołów.

Dioda DF2B7ASL zapewnia niskie napięcie powielania lawinowego, wynoszące 11 V na 5-woltowych liniach sygnałowych, co w zestawieniu z jej małą rezystancją dynamiczną zapewnia skuteczną ochronę elementów półprzewodnikowych.

Dioda DF2B7ASL jest zamykana w obudowie SOD-962 (SL2), której wymiary wynoszą zaledwie 0,62 x 0,32 x 0,3 mm.

Pozostałe parametry:

• prąd szczytowy (I_PP): 4 A (IEC61000-4-5),
• szczytowe wsteczne napięcie pracy (V_RWM): 5,5 V,
• rezystancja dynamiczna (R_dyn): 0,2 ,
• pojemność resztkowa (C_T): typ. 8,5 pF (1 MHz, V_R=0 V),
• napięcie przebicia (V_BR): min. 5,8 V (I_BR=1 mA),
• prąd wsteczny (I_R): 0,1 A (V_RWM=5,5 V).