Alliance Memory powiększa ofertę energooszczędnych pamięci SDRAM
Firma Alliance Memory powiększyła w ostatnim czasie ofertę energooszczędnych pamięci SDRAM do urządzeń przenośnych. Nowe układy LPSDR pracują z napięciem zasilania 1,8 V. Są produkowane w wersjach o pojemności wynoszącej 128, 256 i 512 Mb i zamykane w obudowach FBGA o 54 i 90 wyprowadzeniach.
Pamięci LPDDR, pracujące z napięciem zasilania od 1,7 do 1,95 V są produkowane w wersjach o pojemności 256 i 512 Mb oraz 1 i 2 Gb i zamykane w obudowach FBGA o 60 i 90 wyprowadzeniach. Z kolei pamięci LPDDR2, pracujące z napięciem zasilania od 1,2 do 1,8 V, są produkowane w wersjach o pojemności 1, 2 i 4 Gb i zamykane w obudowach FBGA o 134 wyprowadzeniach.
Projektantom urządzeń mobilnych, chcącym upakować więcej funkcjonalności w mniejszej przestrzeni, a jednocześnie zapewnić mały pobór mocy, nowe pamięci dostarczają zestaw funkcji oszczędnościowych, takich jak:
- automatyczne odświeżanie z kompensacją temperaturową (TCSR), pozwalające obniżyć pobór mocy w zakresie niskich temperatur otoczenia,
- automatyczne odświeżanie części matrycy (PASR) ograniczające pobór mocy dzięki odświeżaniu jedynie obszarów o krytycznym znaczeniu,
- tryb głębokiego ograniczenia poboru mocy (DPD) aktywowany, gdy nie jest konieczna retencja danych.
Typ pamięci | Oznaczenie | Pojemność |
SDR | AS4C8M16MSA-6BIN AS4C4M32MSA-6BIN |
128 Mb |
AS4C16M16MSA-6BIN AS4C8M32MSA-6BIN |
256 Mb | |
AS4C32M16MSA-6BIN AS4C16M32MSA-6BIN |
512 Mb | |
DDR | AS4C16M16MD1-6BCN | 256 Mb |
AS4C32M16MD1A-5BCN AS4C16M32MD1-5BCN AS4C16M32MD1-5BIN |
512 Mb | |
AS4C64M16MD1A-5BIN AS4C32M32MD1A-5BIN |
1 Gb | |
AS4C64M32MD1-5BCN AS4C64M32MD1-5BIN |
2 Gb | |
DDR2 | AS4C64M16MD2A-25BIN AS4C32M32MD2A-25BIN |
1 Gb |
AS4C128M16MD2A-25BIN AS4C64M32MD2A-25BIN |
2 Gb | |
AS4C128M32MD2A-25BIN AS4C128M32MD2A-18BIN |
4 Gb |