Podwójny n-kanałowy MOSFET w obudowie SOT-363

MMBT7002DW to podwójny n-kanałowy tranzystor MOSFET zamykany w obudowie SOT-363 o powierzchni 2,1 x 2,0 mm. Oba wewnętrzne tranzystory są niezależne od siebie - nie zawierają połączonych wzajemnie elektrod. Charakteryzują się napięciem V_DS równym 60 V i dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 115 mA w temperaturze +25°C (800 mA w impulsie).

Mogą być sterowane z 5-woltowych układów logicznych. Ich rezystancja kanału R_DS(on) wynosi 7,5 W przy napięciu V_GS równym 10 V, a czas włączania to 20 ns. MMBT7002DW nadaje się do zastosowań np. w konwerterach poziomów logicznych. Może pracować przy temperaturze złącza nie przekraczającej 150°C.