Superzłączowe tranzystory CoolMOS P7 o napięciu przebicia 950 V
Infineon Technologies AG
Infineon rozszerza ofertę superzłączowych tranzystorów MOSFET CoolMOS P7 o nowe wersje produkowane na napięcie przebicia 950 V; wcześniej w ofercie dostępne były serie na napięcia 600, 700 i 800 V. Nowe tranzystory mogą znaleźć szeroki zakres zastosowań w systemach oświetleniowych, inteligentnych miernikach, ładowarkach akumulatorów i przemysłowych zasilaczach impulsowych.
Charakteryzują się mniejszą rezystancją termiczną i mniejszymi stratami mocy oraz wymagają mniej elementów współpracujących, co przekłada się na niższe koszty produkcji. Jak podaje producent, pozwalają zwiększyć nawet o 1% sprawność przetwornicy i obniżyć o 2...10°C temperaturę pracy tranzystora. Straty przy pracy impulsowej ograniczono nawet o 58% w stosunku do tranzystorów CoolMOS wcześniejszych generacji.
Nowe tranzystory CoolMOS P7 o napięciu znamionowym 950 V są obecnie produkowane w kilkunastu wariantach na zakres prądów drenu od 2 do 14 A. Charakteryzują się rezystancją RDS(on) od 450 do 3700 mΩ i ładunkiem bramki od 6 do 35 nC.
Występują w czterech wariantach obudów: TO-220 FullPAK, TO-251 IPAK LL, TO-252 DPAK i SOT-223. Do standardowego wyposażenia należy wbudowana dioda Zenera zabezpieczająca przed wyładowaniami ESD.
