Tranzystor GaN 600 V/50 mΩ z wbudowanym sterownikiem bramki i obwodami zabezpieczającymi

LMG3410R050 to tranzystor GaN o napięciu znamionowym 600 V i rezystancji R_DS(on) równej 50 mΩ, zawierający sterownik bramki i zespół obwodów zabezpieczających. Może znaleźć zastosowanie w układach impulsowych, w których kluczowa jest duża sprawność energetyczna i gęstość mocy. Jego zaletą w stosunku do krzemowych tranzystorów MOSFET jest bardzo mała pojemność wejściowa i wyjściowa, zerowy czas regeneracji, pozwalający zmniejszyć nawet o 80% straty na przełączanie oraz małe oscylacje, ograniczające poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych.

LMG3410R050 oferuje zestaw funkcji pozwalających uprościć projekt i zwiększyć niezawodność dowolnego typu zasilacza. Wbudowany sterownik bramki jest odporny na impulsy o czasie narastania do co najmniej 150 V/ns, zapewnia bliskie zeru oscylacje napięcia V_DS oraz charakteryzuje się krótkim czasem propagacji (<20 ns), pozwalającym na taktowanie sygnałem o częstotliwości rzędu MHz.

LMG3410R050 zawiera zabezpieczenie nadprądowe o czasie zadziałania <100 ns i zabezpieczenie termiczne. Jest zamykany w obudowie QFN-32 o powierzchni 8 x 8 mm.