Diody Schottky'ego CoolSiC G5 1200 V w obudowach TO247-2 o zwiększonym odstępie izolacyjnym

Infineon Technologies powiększa ofertę przemysłowych 1200-woltowych diod Schottky’ego CoolSiC G5 o nowe wersje produkowane w obudowach TO247-2. Mogą one stanowić zamienniki diod krzemowych, zapewniające mniejsze straty mocy, podczas gdy wydłużona do 8,7 mm droga upływu i odstęp izolacyjny zapewniają dodatkowy margines bezpieczeństwa przy pracy w warunkach silnego zanieczyszczenia.

Diody te są produkowane w wersjach o dopuszczalnym prądzie przewodzenia do 10, 15, 20, 30 i 40 A. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w stacjach ładowania EV DC, instalacjach fotowoltaicznych i zasilaczach UPS, jako elementy współpracujące z krzemowymi tranzystorami IGBT i superzłączowymi tranzystorami MOSFET.

Poza pomijalnymi stratami przy regeneracji - typowymi dla diod Schottky’ego SiC - diody CoolSiC G5 1200 V charakteryzują się bardzo małym napięciem przewodzenia V_F, bardzo małym wzrostem V_F w funkcji temperatury oraz odpornością na duże prądy udarowe. Dzięki dużej sprawności energetycznej, dioda CoolSiC G5 w wersji 10-amperowej może być stosowana jako bezpośredni zamiennik diody krzemowej 30 A.