Miniaturowe, małostratne MOSFETy do elektroniki samochodowej

Do oferty firmy Diodes wchodzą dwa kolejne tranzystory MOSFET zaprojektowane do zastosowań w elektronice samochodowej: 40-woltowy DMTH4008LFDFWQ i 60-woltowy DMTH6016LFDFWQ. Uzyskały one kwalifikację AECQ-101, spełniają wymogi PPAP (Production Part Aproval Process) i są produkowane w zakładach spełniających wymogi normy IATF16949:2016 w zakresie zarządzania jakością.

Są to tranzystory zamykane w obudowach DFN2020 o powierzchni 4 mm² - 10-krotnie mniejszej od wcześniejszych wersji w obudowach SOT223. Charakteryzują się dużą dopuszczalną temperaturą pracy złącza, sięgającą +175°C oraz małą rezystancją R_DS(on) i małym ładunkiem bramki. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w przetwornicach DC-DC, układach podświetlenia ekranów LED, systemach ADAS i wszelkiego typu podsystemach samochodowych narażonych na wysokie temperatury pracy.

W typowej 12-woltowej, 5-amperowej przetwornicy DC-DC Buck, DMTH4008LFDFWQ zapewnia mniejsze o 20% straty mocy od innych tranzystorów MOSFET o zbliżonych parametrach elektrycznych. Jego rezystancja R_DS(on) wynosi typowo 11,5 mΩ przy napięciu V_GS równym 10 V, a ładunek bramki Qg to typowo 14,2 nC. W przypadku DMTH6016LFDFWQ rezystancja R_DS(ON) wynosi typowo 13,8 mΩ @ V_GS=10V, a ładunek Qg to 15,2 nC.