stdClass Object
(
    [id] => 13307
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 1331
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Miniaturowe, małostratne MOSFETy do elektroniki samochodowej
    [alias] => miniaturowe-malostratne-mosfety-do-elektroniki-samochodowej
    [introtext] => 

Do oferty firmy Diodes wchodzą dwa kolejne tranzystory MOSFET zaprojektowane do zastosowań w elektronice samochodowej: 40-woltowy DMTH4008LFDFWQ i 60-woltowy DMTH6016LFDFWQ. Uzyskały one kwalifikację AECQ-101, spełniają wymogi PPAP (Production Part Aproval Process) i są produkowane w zakładach spełniających wymogi normy IATF16949:2016 w zakresie zarządzania jakością.

[fulltext] =>

Są to tranzystory zamykane w obudowach DFN2020 o powierzchni 4 mm² - 10-krotnie mniejszej od wcześniejszych wersji w obudowach SOT223. Charakteryzują się dużą dopuszczalną temperaturą pracy złącza, sięgającą +175°C oraz małą rezystancją RDS(on) i małym ładunkiem bramki. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w przetwornicach DC-DC, układach podświetlenia ekranów LED, systemach ADAS i wszelkiego typu podsystemach samochodowych narażonych na wysokie temperatury pracy.

W typowej 12-woltowej, 5-amperowej przetwornicy DC-DC Buck, DMTH4008LFDFWQ zapewnia mniejsze o 20% straty mocy od innych tranzystorów MOSFET o zbliżonych parametrach elektrycznych. Jego rezystancja RDS(on) wynosi typowo 11,5 mΩ przy napięciu VGS równym 10 V, a ładunek bramki Qg to typowo 14,2 nC. W przypadku DMTH6016LFDFWQ rezystancja RDS(ON) wynosi typowo 13,8 mΩ @ VGS=10V, a ładunek Qg to 15,2 nC.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-01-13 21:36:51 [date_created] => 2020-01-13 21:31:39 [date_publish] => 2020-01-14 06:50:39 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.diodes.com [firm_name] => Diodes Incorporated [firmId] => 1331 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => diodes-incorporated [firmWww] => http://www.diodes.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Miniaturowe, małostratne MOSFETy do elektroniki samochodowej

Produkt firmy:

Diodes Incorporated

Do oferty firmy Diodes wchodzą dwa kolejne tranzystory MOSFET zaprojektowane do zastosowań w elektronice samochodowej: 40-woltowy DMTH4008LFDFWQ i 60-woltowy DMTH6016LFDFWQ. Uzyskały one kwalifikację AECQ-101, spełniają wymogi PPAP (Production Part Aproval Process) i są produkowane w zakładach spełniających wymogi normy IATF16949:2016 w zakresie zarządzania jakością.

Są to tranzystory zamykane w obudowach DFN2020 o powierzchni 4 mm² - 10-krotnie mniejszej od wcześniejszych wersji w obudowach SOT223. Charakteryzują się dużą dopuszczalną temperaturą pracy złącza, sięgającą +175°C oraz małą rezystancją RDS(on) i małym ładunkiem bramki. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w przetwornicach DC-DC, układach podświetlenia ekranów LED, systemach ADAS i wszelkiego typu podsystemach samochodowych narażonych na wysokie temperatury pracy.

W typowej 12-woltowej, 5-amperowej przetwornicy DC-DC Buck, DMTH4008LFDFWQ zapewnia mniejsze o 20% straty mocy od innych tranzystorów MOSFET o zbliżonych parametrach elektrycznych. Jego rezystancja RDS(on) wynosi typowo 11,5 mΩ przy napięciu VGS równym 10 V, a ładunek bramki Qg to typowo 14,2 nC. W przypadku DMTH6016LFDFWQ rezystancja RDS(ON) wynosi typowo 13,8 mΩ @ VGS=10V, a ładunek Qg to 15,2 nC.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Miniaturowe, małostratne MOSFETy do elektroniki samochodowej
Firma: Diodes Incorporated
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).