stdClass Object
(
    [id] => 13592
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Tranzystor MOSFET o prądzie drenu do 380 A i rekordowo małej rezystancji RDS(on)
    [alias] => tranzystor-mosfet-o-pradzie-drenu-do-380-a-i-rekordowo-malej-rezystancji-rds-on
    [introtext] => 

Do oferty firmy Nexperia trafił nowy 25-woltowy tranzystor MOSFET o symbolu PSMNR51-25YLH, charakteryzujący się rekordowo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 0,57 mΩ. Jest on produkowany w procesie technologicznym NextPowerS3, pozwalającym uzyskać bardzo małą rezystancję przewodzenia bez pogorszenia innych ważnych parametrów, takich jak maksymalny prąd drenu, obszar bezpiecznej pracy (SOA) czy ładunek bramki. PSMNR51-25YLH jest zamykany w obudowie LFPAK56 o powierzchni 6 x 5 mm, kompatybilnej ze standardem Power-SO8. Konstrukcja wewnętrznych połączeń typu copper-clip skutecznie absorbuje naprężenia termiczne, zapewniając niezawodną pracę w długim okresie czasu.

[fulltext] =>

Pomimo małych gabarytów, tranzystor umożliwia przewodzenie prądu drenu o natężeniu do 380 A. Jest to ważne dla zapewnienia bezpiecznej i niezawodnej pracy m.in. układów napędowych, w których przy utknięciu silnika może wystąpić krótkotrwały przepływ dużego impulsu prądowego. W odróżnieniu od odpowiedników innych producentów, dla których prąd ID maks. jest określany tylko teoretycznie, w przypadku PSMNR51-25YLH został on zmierzony doświadczalnie. Typowy zakres zastosowań tranzystora obejmuje układy napędowe silników BLDC oraz układy zasilania serwerów.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-04-01 06:46:31 [date_created] => 2020-04-01 06:39:32 [date_publish] => 2020-04-01 06:39:32 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.nexperia.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Tranzystor MOSFET o prądzie drenu do 380 A i rekordowo małej rezystancji RDS(on)

Do oferty firmy Nexperia trafił nowy 25-woltowy tranzystor MOSFET o symbolu PSMNR51-25YLH, charakteryzujący się rekordowo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 0,57 mΩ. Jest on produkowany w procesie technologicznym NextPowerS3, pozwalającym uzyskać bardzo małą rezystancję przewodzenia bez pogorszenia innych ważnych parametrów, takich jak maksymalny prąd drenu, obszar bezpiecznej pracy (SOA) czy ładunek bramki. PSMNR51-25YLH jest zamykany w obudowie LFPAK56 o powierzchni 6 x 5 mm, kompatybilnej ze standardem Power-SO8. Konstrukcja wewnętrznych połączeń typu copper-clip skutecznie absorbuje naprężenia termiczne, zapewniając niezawodną pracę w długim okresie czasu.

Pomimo małych gabarytów, tranzystor umożliwia przewodzenie prądu drenu o natężeniu do 380 A. Jest to ważne dla zapewnienia bezpiecznej i niezawodnej pracy m.in. układów napędowych, w których przy utknięciu silnika może wystąpić krótkotrwały przepływ dużego impulsu prądowego. W odróżnieniu od odpowiedników innych producentów, dla których prąd ID maks. jest określany tylko teoretycznie, w przypadku PSMNR51-25YLH został on zmierzony doświadczalnie. Typowy zakres zastosowań tranzystora obejmuje układy napędowe silników BLDC oraz układy zasilania serwerów.