stdClass Object
(
    [id] => 13599
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 508
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => 650-woltowe tranzystory MOSFET CoolSiC o dużej niezawodności
    [alias] => 650-woltowe-tranzystory-mosfet-coolsic-o-duzej-niezawodnosci
    [introtext] => 

Do oferty firmy Infineon Technologies wchodzi 8 kolejnych 650-woltowych tranzystorów MOSFET realizowanych na podłożach z węglika krzemu i stanowiących rozszerzenie rodziny CoolSiC. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania serwerów, instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, układach napędowych, układach ładowania samochodów EV i innych aplikacjach wymagających dużej niezawodności. Są produkowane w procesie Trench i zamykane w klasycznych 3- i 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247.

[fulltext] =>

Nowe 650-woltowe tranzystory CoolSiC charakteryzują się rezystancją RDS(on) od 27 do 107 mW @ 25°C, napięciem progowym Vth równym 4 V, dużą niezawodnością wynikającą z zastosowania podłoży SiC i odpornością na zwarcie. W zależności od wersji mogą przewodzić maksymalny prąd drenu od 20 do 59 A. Ich zakres dopuszczalnych temperatur pracy rozciąga się od -55 do +125°C.

W odróżnieniu od innych tranzystorów MOSFET produkowanych na podłożach krzemowych i SiC, nowe 650-woltowe tranzystory CoolSiC nadają się do pracy z większymi częstotliwościami przełączania oraz wykazują bardzo małą zależność rezystancji RDS(on) od temperatury. Wbudowana dioda zabezpieczająca wykazuje mniejszy o 80% ładunek regeneracji (Qrr) od najlepszych na rynku superzłączowych tranzystorów MOSFET CoolMOS.

Projektowanie obwodów zasilających i napędowych z wykorzystaniem tranzystorów CoolSiC MOSFET ułatwiają opracowane przez Infineon 1- i 2-kanałowe sterowniki bramek rodziny EiceDRIVER z izolacją galwaniczną.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-04-02 22:50:17 [date_created] => 2020-04-02 22:45:54 [date_publish] => 2020-04-03 05:52:54 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies AG [firmId] => 508 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => Infineon_Technologies_AG [firmWww] => http://www.infineon.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

650-woltowe tranzystory MOSFET CoolSiC o dużej niezawodności

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Do oferty firmy Infineon Technologies wchodzi 8 kolejnych 650-woltowych tranzystorów MOSFET realizowanych na podłożach z węglika krzemu i stanowiących rozszerzenie rodziny CoolSiC. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania serwerów, instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, układach napędowych, układach ładowania samochodów EV i innych aplikacjach wymagających dużej niezawodności. Są produkowane w procesie Trench i zamykane w klasycznych 3- i 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247.

Nowe 650-woltowe tranzystory CoolSiC charakteryzują się rezystancją RDS(on) od 27 do 107 mW @ 25°C, napięciem progowym Vth równym 4 V, dużą niezawodnością wynikającą z zastosowania podłoży SiC i odpornością na zwarcie. W zależności od wersji mogą przewodzić maksymalny prąd drenu od 20 do 59 A. Ich zakres dopuszczalnych temperatur pracy rozciąga się od -55 do +125°C.

W odróżnieniu od innych tranzystorów MOSFET produkowanych na podłożach krzemowych i SiC, nowe 650-woltowe tranzystory CoolSiC nadają się do pracy z większymi częstotliwościami przełączania oraz wykazują bardzo małą zależność rezystancji RDS(on) od temperatury. Wbudowana dioda zabezpieczająca wykazuje mniejszy o 80% ładunek regeneracji (Qrr) od najlepszych na rynku superzłączowych tranzystorów MOSFET CoolMOS.

Projektowanie obwodów zasilających i napędowych z wykorzystaniem tranzystorów CoolSiC MOSFET ułatwiają opracowane przez Infineon 1- i 2-kanałowe sterowniki bramek rodziny EiceDRIVER z izolacją galwaniczną.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
650-woltowe tranzystory MOSFET CoolSiC o dużej niezawodności
Firma: Infineon Technologies AG
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).