650-woltowe tranzystory MOSFET CoolSiC o dużej niezawodności
Infineon Technologies AG
Do oferty firmy Infineon Technologies wchodzi 8 kolejnych 650-woltowych tranzystorów MOSFET realizowanych na podłożach z węglika krzemu i stanowiących rozszerzenie rodziny CoolSiC. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania serwerów, instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, układach napędowych, układach ładowania samochodów EV i innych aplikacjach wymagających dużej niezawodności. Są produkowane w procesie Trench i zamykane w klasycznych 3- i 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247.
Nowe 650-woltowe tranzystory CoolSiC charakteryzują się rezystancją RDS(on) od 27 do 107 mW @ 25°C, napięciem progowym Vth równym 4 V, dużą niezawodnością wynikającą z zastosowania podłoży SiC i odpornością na zwarcie. W zależności od wersji mogą przewodzić maksymalny prąd drenu od 20 do 59 A. Ich zakres dopuszczalnych temperatur pracy rozciąga się od -55 do +125°C.
W odróżnieniu od innych tranzystorów MOSFET produkowanych na podłożach krzemowych i SiC, nowe 650-woltowe tranzystory CoolSiC nadają się do pracy z większymi częstotliwościami przełączania oraz wykazują bardzo małą zależność rezystancji RDS(on) od temperatury. Wbudowana dioda zabezpieczająca wykazuje mniejszy o 80% ładunek regeneracji (Qrr) od najlepszych na rynku superzłączowych tranzystorów MOSFET CoolMOS.
Projektowanie obwodów zasilających i napędowych z wykorzystaniem tranzystorów CoolSiC MOSFET ułatwiają opracowane przez Infineon 1- i 2-kanałowe sterowniki bramek rodziny EiceDRIVER z izolacją galwaniczną.
