stdClass Object
(
    [id] => 13930
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Ultraminiaturowe tranzystory MOSFET w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm
    [alias] => ultraminiaturowe-tranzystory-mosfet-w-obudowach-o-powierzchni-0-62-x-0-62-mm
    [introtext] => 

Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o 9 ultraminiaturowych wersji produkowanych w obudowach DFN0606 o powierzchni 0,62 x 0,62 mm, zredukowanej o 36% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników w obudowach DFN1006.

[fulltext] =>

Oprócz małych gabarytów, do zalet tych tranzystorów należy bardzo mała rezystancja RDS(on), odporność na wyładowania ESD nawet do 2 kV oraz małe napięcie progowe VGS, istotne w przypadku zastosowań w niskonapięciowych urządzeniach przenośnych. Nowe tranzystory są produkowane w wariantach p- i n-kanałowych o napięciu znamionowym 20, 30 i 60 V.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-08-05 00:12:15 [date_created] => 2020-08-05 00:08:08 [date_publish] => 2020-08-05 05:50:08 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.nexperia.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Ultraminiaturowe tranzystory MOSFET w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm

Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o 9 ultraminiaturowych wersji produkowanych w obudowach DFN0606 o powierzchni 0,62 x 0,62 mm, zredukowanej o 36% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników w obudowach DFN1006.

Oprócz małych gabarytów, do zalet tych tranzystorów należy bardzo mała rezystancja RDS(on), odporność na wyładowania ESD nawet do 2 kV oraz małe napięcie progowe VGS, istotne w przypadku zastosowań w niskonapięciowych urządzeniach przenośnych. Nowe tranzystory są produkowane w wariantach p- i n-kanałowych o napięciu znamionowym 20, 30 i 60 V.