stdClass Object
(
    [id] => 13985
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 508
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące
    [alias] => nowy-typ-obudowy-smd-do-tranzystorow-mosfet-odpornych-na-promieniowanie-jonizujace
    [introtext] => 

Niezawodne mocowanie hermetycznych obudów tranzystorów dużej mocy do płytek PCB jest dużym wyzwaniem dla projektantów systemów przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Często w tego typu aplikacjach mogą pojawiać się naprężenia związane ze znaczną różnicą współczynników rozszerzalności termicznej zastosowanych materiałów.

[fulltext] =>

Problem ten rozwiązano w nowo zaprojektowanej przez Infineon obudowie SupIR-SMD z kwalifikacją JANS MIL-PRF-19500. Jest to innowacyjna obudowa direct-to-PCB, zapewniająca większą o ponad 30% gęstość prądu i znacznie szybsze odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej dzięki odwróconej konstrukcji w stosunku do struktur typu "dead bug", w której wyeliminowano druciki połączeniowe pomiędzy strukturą półprzewodnikową i terminalami lutowniczymi. Ponadto, pozwala zredukować o 37% powierzchnię montażową oraz o 34% masę w porównaniu z konstrukcjami stosowanymi wcześniej. Obecnie w obudowie SupIR-SMD produkowanych jest 14 typów tranzystorów n- i p-kanałowych o napięciu przebicia do 250 V i maksymalnym prądzie drenu 75 A. Znajdują się one na liście QPL (Qualified Products List) podzespołów zatwierdzonych do pracy w przestrzeni kosmicznej.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-08-26 06:57:18 [date_created] => 2020-08-26 06:53:12 [date_publish] => 2020-08-26 06:53:12 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies AG [firmId] => 508 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => Infineon_Technologies_AG [firmWww] => http://www.infineon.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Niezawodne mocowanie hermetycznych obudów tranzystorów dużej mocy do płytek PCB jest dużym wyzwaniem dla projektantów systemów przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Często w tego typu aplikacjach mogą pojawiać się naprężenia związane ze znaczną różnicą współczynników rozszerzalności termicznej zastosowanych materiałów.

Problem ten rozwiązano w nowo zaprojektowanej przez Infineon obudowie SupIR-SMD z kwalifikacją JANS MIL-PRF-19500. Jest to innowacyjna obudowa direct-to-PCB, zapewniająca większą o ponad 30% gęstość prądu i znacznie szybsze odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej dzięki odwróconej konstrukcji w stosunku do struktur typu "dead bug", w której wyeliminowano druciki połączeniowe pomiędzy strukturą półprzewodnikową i terminalami lutowniczymi. Ponadto, pozwala zredukować o 37% powierzchnię montażową oraz o 34% masę w porównaniu z konstrukcjami stosowanymi wcześniej. Obecnie w obudowie SupIR-SMD produkowanych jest 14 typów tranzystorów n- i p-kanałowych o napięciu przebicia do 250 V i maksymalnym prądzie drenu 75 A. Znajdują się one na liście QPL (Qualified Products List) podzespołów zatwierdzonych do pracy w przestrzeni kosmicznej.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące
Firma: Infineon Technologies AG
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).