stdClass Object
(
    [id] => 14035
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 508
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Półmostkowy stopień mocy CoolSiC MOSFET 1200 V do pojazdów elektrycznych
    [alias] => polmostkowy-stopien-mocy-coolsic-mosfet-1200-v-do-pojazdow-elektrycznych
    [introtext] => 

Podzespoły mocy produkowane z węglika krzemu zapewniają dużą sprawność i gęstość mocy w pojazdach o zasilaniu elektrycznym. W szczególności w systemach 800-woltowych o dużej pojemności akumulatorów pozwalają uzyskać większą sprawność falowników, zapewniając większy zasięg lub niższy koszt akumulatorów. Firma Infineon zaprezentowała ostatnio nowy półmostkowy moduł mocy EasyPACK oparty na tranzystorach CoolSiC MOSFET.

[fulltext] =>

FF08MR12W1MA1_B11A charakteryzuje się napięciem znamionowym 1200 V, małą rezystancją wewnętrzną (8 mW) i wydajnością prądową 150 A. Bazuje on na strukturze trench, pozwalającej na uzyskanie większej gęstości komórek w porównaniu ze strukturami planarnymi i mniejszego współczynnika FoM. Dzięki temu, tranzystory trench MOSFET mogą pracować przy mniejszym natężeniu pola elektrycznego bramki, zapewniając większą niezawodność.

Moduły MOSFET CoolSiC są optymalizowane do zastosowań w falownikach systemów trakcyjnych, umożliwiając osiągnięcie bardzo małych strat przewodzenia, szczególnie w warunkach częściowego obciążenia. W zestawieniu z małymi stratami na przełączanie tranzystorów SiC, umożliwiają zmniejszenie strat falownika o około 60% w porównaniu z falownikami realizowanymi na bazie krzemowych tranzystorów IGBT. Ponadto, charakteryzują się dużą odpornością na zwarcie i promieniowanie jonizujące. Nowy moduł FF08MR12W1MA1_B11A pracuje z napięciem progowym Vth=4,4 V i jest kompatybilny z układami sterowania tranzystorów IGBT (VGS= -5 V/+15 V). Zapewnia małą indukcyjność pasożytniczą (5 nH) i mały ładunek bramki (QG=0,495 μC @ VDS=600 V). Może pracować przy temperaturze złącza do +150°C. Jest produkowany w postaci modułu press-fit o wymiarach 62,8 x 33,8 x 12 mm z wbudowanym termistorem NTC do monitorowania temperatury pracy.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-09-14 21:14:42 [date_created] => 2020-09-14 21:12:52 [date_publish] => 2020-09-15 05:52:52 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.infineon.com [firm_name] => Infineon Technologies AG [firmId] => 508 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => Infineon_Technologies_AG [firmWww] => http://www.infineon.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Półmostkowy stopień mocy CoolSiC MOSFET 1200 V do pojazdów elektrycznych

Produkt firmy:

Infineon Technologies AG

Podzespoły mocy produkowane z węglika krzemu zapewniają dużą sprawność i gęstość mocy w pojazdach o zasilaniu elektrycznym. W szczególności w systemach 800-woltowych o dużej pojemności akumulatorów pozwalają uzyskać większą sprawność falowników, zapewniając większy zasięg lub niższy koszt akumulatorów. Firma Infineon zaprezentowała ostatnio nowy półmostkowy moduł mocy EasyPACK oparty na tranzystorach CoolSiC MOSFET.

FF08MR12W1MA1_B11A charakteryzuje się napięciem znamionowym 1200 V, małą rezystancją wewnętrzną (8 mW) i wydajnością prądową 150 A. Bazuje on na strukturze trench, pozwalającej na uzyskanie większej gęstości komórek w porównaniu ze strukturami planarnymi i mniejszego współczynnika FoM. Dzięki temu, tranzystory trench MOSFET mogą pracować przy mniejszym natężeniu pola elektrycznego bramki, zapewniając większą niezawodność.

Moduły MOSFET CoolSiC są optymalizowane do zastosowań w falownikach systemów trakcyjnych, umożliwiając osiągnięcie bardzo małych strat przewodzenia, szczególnie w warunkach częściowego obciążenia. W zestawieniu z małymi stratami na przełączanie tranzystorów SiC, umożliwiają zmniejszenie strat falownika o około 60% w porównaniu z falownikami realizowanymi na bazie krzemowych tranzystorów IGBT. Ponadto, charakteryzują się dużą odpornością na zwarcie i promieniowanie jonizujące. Nowy moduł FF08MR12W1MA1_B11A pracuje z napięciem progowym Vth=4,4 V i jest kompatybilny z układami sterowania tranzystorów IGBT (VGS= -5 V/+15 V). Zapewnia małą indukcyjność pasożytniczą (5 nH) i mały ładunek bramki (QG=0,495 μC @ VDS=600 V). Może pracować przy temperaturze złącza do +150°C. Jest produkowany w postaci modułu press-fit o wymiarach 62,8 x 33,8 x 12 mm z wbudowanym termistorem NTC do monitorowania temperatury pracy.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Półmostkowy stopień mocy CoolSiC MOSFET 1200 V do pojazdów elektrycznych
Firma: Infineon Technologies AG
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).