Półmostkowy stopień mocy CoolSiC MOSFET 1200 V do pojazdów elektrycznych

Podzespoły mocy produkowane z węglika krzemu zapewniają dużą sprawność i gęstość mocy w pojazdach o zasilaniu elektrycznym. W szczególności w systemach 800-woltowych o dużej pojemności akumulatorów pozwalają uzyskać większą sprawność falowników, zapewniając większy zasięg lub niższy koszt akumulatorów. Firma Infineon zaprezentowała ostatnio nowy półmostkowy moduł mocy EasyPACK oparty na tranzystorach CoolSiC MOSFET.

FF08MR12W1MA1_B11A charakteryzuje się napięciem znamionowym 1200 V, małą rezystancją wewnętrzną (8 mW) i wydajnością prądową 150 A. Bazuje on na strukturze trench, pozwalającej na uzyskanie większej gęstości komórek w porównaniu ze strukturami planarnymi i mniejszego współczynnika FoM. Dzięki temu, tranzystory trench MOSFET mogą pracować przy mniejszym natężeniu pola elektrycznego bramki, zapewniając większą niezawodność.

Moduły MOSFET CoolSiC są optymalizowane do zastosowań w falownikach systemów trakcyjnych, umożliwiając osiągnięcie bardzo małych strat przewodzenia, szczególnie w warunkach częściowego obciążenia. W zestawieniu z małymi stratami na przełączanie tranzystorów SiC, umożliwiają zmniejszenie strat falownika o około 60% w porównaniu z falownikami realizowanymi na bazie krzemowych tranzystorów IGBT. Ponadto, charakteryzują się dużą odpornością na zwarcie i promieniowanie jonizujące. Nowy moduł FF08MR12W1MA1_B11A pracuje z napięciem progowym Vth=4,4 V i jest kompatybilny z układami sterowania tranzystorów IGBT (V_GS= -5 V/+15 V). Zapewnia małą indukcyjność pasożytniczą (5 nH) i mały ładunek bramki (Q_G=0,495 μC @ V_DS=600 V). Może pracować przy temperaturze złącza do +150°C. Jest produkowany w postaci modułu press-fit o wymiarach 62,8 x 33,8 x 12 mm z wbudowanym termistorem NTC do monitorowania temperatury pracy.