Małostratne n-kanałowe tranzystory MOSFET do elektroniki samochodowej

Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek nową serię małostratnych n-kanałowych tranzystorów MOSFET produkowanych w nowym procesie U-MOSVIII-H, zaprojektowanych do zastosowań w podsystemach samochodowych. Uzyskały one kwalifikację AEC-Q101. Nowa oferta obejmuje obecnie 4 typy tranzystorów charakteryzujących się napięciem przebicia 40 V (XPN3R804NC, XPN7R104NC) i 60 V (XPN6R706NC, XPN12006NC).

Wyróżniają się one bardzo małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą już od 3,8 mΩ (model XPN3R804NC, V_GS=10 V) oraz bardzo małym prądem upływu. Są zamykane w obudowach TSON Advance (WF) o wymiarach 3,6 x 3,3 x 0,85 mm z wyprowadzeniami typu wettable flank, ułatwiającymi prowadzenie automatycznej inspekcji optycznej. Mogą stanowić zamienniki dla wprowadzonych wcześniej na rynek tranzystorów o zbliżonych parametrach, produkowanych w większych obudowach o powierzchni 6 x 5 mm.