1200-woltowy tranzystor SiC MOSFET do przemysłowych aplikacji dużej mocy

Nowy 1200-woltowy tranzystor SiC MOSFET firmy Toshiba, TW070J120B został zaprojektowany do przemysłowych aplikacji dużej mocy, m.in. zasilaczy sieciowych, falowników i dwukierunkowych konwerterów DC-DC pracujących z napięciem wejściowym do 400 V_AC. Zastosowany do jego produkcji węglik krzemu zapewnia m.in. krótsze czasy przełączania i mniejszą rezystancję przewodzenia tranzystorów MOSFET i IGBT w porównaniu z konwencjonalnymi tranzystorami krzemowymi.

TW070J120B charakteryzuje się małą pojemnością wejściową (typ. 1680 pF), małym ładunkiem bramki (typ. 67 nC) i małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą typowo 70 mΩ. W porównaniu z 1200-woltowymi tranzystorami krzemowymi, np. GT40QR21 z oferty Toshiba, zapewnia mniejsze nawet o 80% straty mocy przy wyłączaniu i krótszy o 70% czas wyłączania. Duże napięcie progowe bramki (4,2…5,8 V) zmniejsza ryzyko przypadkowego przełączenia tranzystora. Ponadto, wewnętrzna dioda Schottky’ego SiC o niskim napięciu przewodzenia (typ. -1,35 V) pozwala dodatkowo obniżyć straty mocy.

TW070J120B pracuje z maksymalnym ciągłym prądem drenu 36 A (72 A w impulsie). Jest zamykany w obudowie TO-3P(N). Jego dopuszczalna temperatura pracy wynosi +175°C.