stdClass Object
(
    [id] => 14504
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 0
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Tranzystory SiC MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV
    [alias] => tranzystory-sic-mosfet-o-napieciu-przebicia-6-5-kv
    [introtext] => 

GeneSiC, firma specjalizująca się w produkcji podzespołów półprzewodnikowych na bazie podłoży z węglika krzemu (SiC), opracowała trzy tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV, przeznaczone do zastosowań m.in. w infrastrukturze energetycznej smart grid oraz konwerterach DC-DC sieci trakcyjnych.

[fulltext] =>

Są one dostarczane w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych. Nowa oferta obejmuje trzy typy tranzystorów różniących się rezystancją RDS(on) i dopuszczalnym prądem drenu:

Wszystkie tranzystory G2R zostały wyposażone w szybkie diody zabezpieczające, a G2R325MS65-CAL dodatkowo w diodę Schottky’ego. Zawierają podwójne wyprowadzenie drenu, ograniczające straty mocy przy pracy impulsowej. Pracują z napięciem sterowania bramki +20/-5 V. Charakteryzują się małym współczynnikiem FOM (RDS(on)*Qg) i małą pojemnością wewnętrzną (CISS=3,4…14 ns, COSS=80…260 pF). Zapewniają małe straty w całym zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -55 do +175°C.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2021-02-22 22:42:26 [date_created] => 2021-02-22 22:40:36 [date_publish] => 2021-02-23 06:52:36 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.genesicsemi.com [firm_name] => [firmId] => [firmType] => [firmCategory] => [firmAlias] => [firmWww] => [firmPaid] => [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Tranzystory SiC MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV

GeneSiC, firma specjalizująca się w produkcji podzespołów półprzewodnikowych na bazie podłoży z węglika krzemu (SiC), opracowała trzy tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV, przeznaczone do zastosowań m.in. w infrastrukturze energetycznej smart grid oraz konwerterach DC-DC sieci trakcyjnych.

Są one dostarczane w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych. Nowa oferta obejmuje trzy typy tranzystorów różniących się rezystancją RDS(on) i dopuszczalnym prądem drenu:

  • G2R300MT65-CAL (6,5 kV, 300 mΩ, 16 A),
  • G2R325MS65-CAL (6,5 kV, 325 mΩ, 15 A) z wbudowaną diodą Schottky’ego,
  • G2R100MT65-CAL (6,5 kV, 100 mΩ, 40 A).

Wszystkie tranzystory G2R zostały wyposażone w szybkie diody zabezpieczające, a G2R325MS65-CAL dodatkowo w diodę Schottky’ego. Zawierają podwójne wyprowadzenie drenu, ograniczające straty mocy przy pracy impulsowej. Pracują z napięciem sterowania bramki +20/-5 V. Charakteryzują się małym współczynnikiem FOM (RDS(on)*Qg) i małą pojemnością wewnętrzną (CISS=3,4…14 ns, COSS=80…260 pF). Zapewniają małe straty w całym zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -55 do +175°C.

Dostępne nowe wydanie
Pobierz bezpłatnie