Do oferty firmy Rohm wchodzi nowa generacja podwójnych tranzystorów MOSFET, wyróżniających się bardzo małą rezystancją kanału. Zawierają one tranzystor n-kanałowy i p-kanałowy o napięciach znamionowych wynoszących w zależności od wersji ±40 V lub ±60 V. Są polecane do zastosowań m.in. w 24-woltowych układach sterowania wentylatorów w stacjach bazowych i maszynach przemysłowych, gdzie zapewniają wystarczający margines bezpieczeństwa przed fluktuacjami napięcia zasilającego.
Dodatkowo, charakteryzują się małą rezystancją RDS(on), wynoszącą już od 18 mΩ i krótkimi czasami przełączania, co zapewnia dużą sprawność energetyczną. Firma Rohm planuje w najbliższym czasie rozszerzyć tą serię tranzystorów o wersje 100- i 150-woltowe.
|
|
Obudowa |
Wymiary |
Polaryzacja |
VDSS |
ID |
RDS(on) |
QG |
|
QH8MB5 |
TSMT-8 |
3 x 2,8 mm |
Nch+Pch |
40 V |
4,5 A |
0,044 Ω |
1,8 nC |
|
QH8MC5 |
60 V |
3 A |
0,1 Ω |
1,7 nC |
|||
|
SH8MB5 |
SOP-8 |
6 x 5 mm |
40 V |
8,5 A |
0,018 Ω |
5 nC |
|
|
SH8MC5 |
60 V |
6,5 A |
0,033 Ω |
3,9 nC |
Więcej na: www.rohm.com