Podwójne tranzystory MOSFET o napięciu znamionowym 40 i 60 V oraz o małej rezystancji RDS(on)

Do oferty firmy Rohm wchodzi nowa generacja podwójnych tranzystorów MOSFET, wyróżniających się bardzo małą rezystancją kanału. Zawierają one tranzystor n-kanałowy i p-kanałowy o napięciach znamionowych wynoszących w zależności od wersji ±40 V lub ±60 V. Są polecane do zastosowań m.in. w 24-woltowych układach sterowania wentylatorów w stacjach bazowych i maszynach przemysłowych, gdzie zapewniają wystarczający margines bezpieczeństwa przed fluktuacjami napięcia zasilającego.

Dodatkowo, charakteryzują się małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą już od 18 mΩ i krótkimi czasami przełączania, co zapewnia dużą sprawność energetyczną. Firma Rohm planuje w najbliższym czasie rozszerzyć tą serię tranzystorów o wersje 100- i 150-woltowe.