65-amperowy chipset ePower o dużej gęstości mocy do układów zasilania
Firma Efficient Power Conversion (EPC) opracowała nowy dwuukładowy chipset ePower do realizacji wysokoprądowych układów zasilania o dużej gęstości mocy, obejmujący 100-woltowy tranzystor eGaN FET EPC2302 i układ sterowania bramką EPC23101. Umożliwia on pracę z prądem wyjściowym o natężeniu do 65 A przy częstotliwości taktowania powyżej 1 MHz. Może znaleźć zastosowanie w przetwornicach DC-DC i układach napędowych silników BLDC w robotach, dronach i wszelkiego typu aplikacjach e-mobility.
Układ sterowania bramką EPC23101, zrealizowany w technologii GaN, obejmuje tranzystor high side FET o rezystancji RDS(on) równej 3,3 mΩ z własnym sterownikiem bramki, interfejs wejściowy do współpracy z układami logicznymi, przesuwnik poziomu napięcia, układ bootstrap, bufor i wyjście do sterowania bramką zewnętrznego tranzystora low side eGaN FET.
Tranzystor EPC2302 charakteryzuje się rezystancją RDS(on) wynoszącą zaledwie 1,8 mΩ oraz małymi ładunkami QG, QGD i QOSS, zapewniając małe straty na przewodzenie i przełączanie.
EPC23101 i EPC2302 są produkowane w identycznych obudowach QFN z wyprowadzeniem radiatora. Charakteryzują się wzajemnie kompatybilnym rozkładem wyprowadzeń, ułatwiającym prowadzenie ścieżek na płytce drukowanej. Pozwalają ograniczyć wymaganą powierzchnię montażową do zaledwie 7 x 5 mm.
Przy pracy w układzie konwertera DC-DC buck, obniżającego napięcie z 48 V do 12 V, chipset EPC23101 + EPC2302 zapewnia sprawność 96% przy częstotliwości taktowania 1 MHz i 97% przy częstotliwości 500 kHz oraz umożliwia pracę z natężeniem prądu wyjściowego do 65 A przy wzroście temperatury własnej poniżej 50°C.
Ceny hurtowe EPC23101 i EPC2302 wynoszą odpowiednio 5,28 USD i 4,91 USD przy zamówieniach 1000 sztuk. W ofercie EPC jest też dostępna płytka ewaluacyjna EPC90142 w cenie 156,25 USD.
