Małostratne tranzystory MOSFET SiC STPOWER 3. generacji do elektroniki samochodowej

STMicroelectronics prezentuje 3. generację tranzystorów MOSFET STPOWER, produkowanych w technologii SiC, przeznaczonych do zastosowań w motoryzacji oraz wszędzie tam, gdzie priorytetem jest gęstość mocy, sprawność i niezawodność. Są one dostarczane w wersjach o napięciu znamionowym 650, 750 i 1200 V. Pierwsze, dostępne już modele to 650-woltowy SCT040H65G3AG, oferowany w cenie 5,00 USD oraz wersja 750-woltowa, dostarczana w postaci nieobudowanej struktury półprzewodnikowej.

Wykorzystując nową platformę SiC 3. generacji, najnowsze tranzystory MOSFET firmy ST wyznaczają nowe standardy w zakresie wartości FoM (Ron x Qg). Poprawa tego parametru w tranzystorach krzemowych staje się coraz trudniejsza, a kluczem do dalszych ulepszeń okazała się technologia SiC. W porównaniu z krzemowymi odpowiednikami, tranzystory SiC MOSFET charakteryzują się większym napięciem znamionowym, co czyni je idealnymi do zastosowań w pojazdach elektrycznych i stacjach szybkiego ładowania. Możliwość pracy z dużą częstotliwością taktowania pozwala na stosowanie mniejszych elementów pasywnych, co z kolei zmniejsza rozmiary i masę wyposażenia elektrycznego pojazdów. Firma STMicroelectronics będzie oferowała tranzystory 3. generacji w obudowach STPAK, H2PAK-7L i HiP247-4L, w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych oraz jako moduły mocy HU3PAK rodziny ACEPACK.

SCT040H65G3AG to tranzystor SiC MOSFET o napięciu znamionowym 650 V, wyposażony w szybką wewnętrzną diodę zabezpieczającą. Charakteryzuje się dopuszczalnym prądem ciągłym drenu równym 30 A (152 A w impulsie) i rezystancją RDS(on) wynoszącą typowo 40 mΩ (maks. 55 mΩ) w całym zakresie dopuszczalnej temperatury pracy złącza od -55 do +125°C. Jest zamykany w obudowie H²PAK-7 o bardzo małej rezystancji termicznej złącze-obudowa, wynoszącej zaledwie 0,64°C/W. Uzyskał kwalifikację AEC-Q101.