Półmostkowy sterownik tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu pracy do 600 V

Mitsubishi Electric rozszerza ofertę sterowników bramek tranzystorów MOSFET i IGBT o nowy model, oznaczony symbolem M81777FP. Jest to sterownik półmostkowy, mogący współpracować z tranzystorami zasilanymi napięciem do 600 V. Zapewnia wydajność prądową +0,2 A/-0,35 A. Zawiera wewnętrzną diodę bootstrap, co pozwala zmniejszyć liczbę komponentów współpracujących. Nadaje się do zastosowań w falownikach układów napędowych m.in. w urządzeniach AGD, e-bikach i elektronarzędziach.

Układ jest zamykany w obudowie SO-8, kompatybilnej z wcześniejszą wersją M81776FP bez diody bootstrap. Jest przystosowany do pracy w temperaturze otoczenia od -40 do +125°C.