150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ

Toshiba powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o 150-woltowy model TPH9R00CQH, zaprojektowany specjalnie do zastosowań w układach zasilania, produkowany w najnowszym procesie technologicznym U-MOSX-H. Jest to tranzystor o małych ładunkach wewnętrznych (Q_G=44 nC, Q_SW=11,7 nC) i małej rezystancji R_DS(on), wynoszącej maksymalnie 9 mΩ przy napięciu bramka-źródło 10 V.

Jest ona mniejsza o ponad 40% od rezystancji wcześniejszego 150-woltowego odpowiednika TPH1500CNH, produkowanego w technologii U-MOSVIII-H. Dzięki zmodyfikowanej strukturze bramki, współczynniki R_DS(ON) x Q_SW i R_DS(ON) x Q_OSS ograniczono o odpowiednio 20% i 28%, co przekłada się na mniejsze straty przy przełączaniu, zwłaszcza przy pracy z dużą częstotliwością taktowania. Dodatkową zaletą tranzystora są małe impulsy napięciowe wytwarzane podczas przełączania, pozwalające zredukować poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych.

TPH9R00CQH jest produkowany w dwóch wariantach obudów SMD: SOP Advance (6 x 5 mm) i SOP Advance (N) o powierzchni 6,1 x 4,9 mm.