Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V

Produkt firmy:

Toshiba Corporation

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

Toshiba powiększa ofertę superzłączowych tranzystorów MOSFET o cztery nowe modele n-kanałowe o napięciu przebicia 650 V, stanowiące rozszerzenie rodziny DTMOS VI. W porównaniu z odpowiednikami wcześniejszej generacji DTMOS, wykazują one mniejszy średnio o 40% współczynnik FoM (R_DS(on) x Q_gd), zapewniający mniejsze straty przy przełączaniu. Charakteryzują się rezystancją R_DS(on) od 90 mΩ i ładunkiem Q_gd od 7,1 nC.

Pracują z maksymalnym prądem drenu równym 30 A (TK090E65Z), 24 A (TK110E65Z), 18 A (TK155E65Z) lub 15 A (TK190E65Z). Różnią się też mocą znamionową, wynoszącą w zależności od wersji 130...230 W. Wszystkie modele są produkowane w standardowych obudowach TO-220.

	V_DSS	V_GSS	I_D	P_D	C_iss	Q_g	R_DS(on) maks.@ V_GS=10 V
TK090E65Z	650 V	±30 V	30 A	230 W	2780 pF	47 nC	90 mΩ
TK110E65Z			24 A	190 W	2250 pF	40 nC	110 mΩ
TK155E65Z			18 A	150 W	1635 pF	29 nC	155 mΩ
TK190E65Z			15 A	130 W	1370 pF	25 nC	190 mΩ

Zapytania ofertowe

Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V

Zapytanie ofertowe