Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Toshiba Corporation
Toshiba powiększa ofertę superzłączowych tranzystorów MOSFET o cztery nowe modele n-kanałowe o napięciu przebicia 650 V, stanowiące rozszerzenie rodziny DTMOS VI. W porównaniu z odpowiednikami wcześniejszej generacji DTMOS, wykazują one mniejszy średnio o 40% współczynnik FoM (RDS(on) x Qgd), zapewniający mniejsze straty przy przełączaniu. Charakteryzują się rezystancją RDS(on) od 90 mΩ i ładunkiem Qgd od 7,1 nC.
Pracują z maksymalnym prądem drenu równym 30 A (TK090E65Z), 24 A (TK110E65Z), 18 A (TK155E65Z) lub 15 A (TK190E65Z). Różnią się też mocą znamionową, wynoszącą w zależności od wersji 130...230 W. Wszystkie modele są produkowane w standardowych obudowach TO-220.
|
VDSS |
VGSS |
ID |
PD |
Ciss |
Qg |
RDS(on) maks.@ VGS=10 V |
TK090E65Z |
650 V |
±30 V |
30 A |
230 W |
2780 pF |
47 nC |
90 mΩ |
TK110E65Z |
24 A |
190 W |
2250 pF |
40 nC |
110 mΩ |
||
TK155E65Z |
18 A |
150 W |
1635 pF |
29 nC |
155 mΩ |
||
TK190E65Z |
15 A |
130 W |
1370 pF |
25 nC |
190 mΩ |