Nowe, precyzyjne modele G2 SPICE tranzystorów MOSFET z oferty Toshiba

Toshiba wprowadza precyzyjne modele G2 SPICE tranzystorów MOSFET, oferujące dokładniejsze modelowanie stanów nieustalonych w zastosowaniach energetycznych. Są one dostępne w wersjach do aplikacji PSpice i LTSpice. Uzupełniają wcześniejszą ofertę modeli G0 SPICE do szybkiej symulacji, umożliwiając obecnie dokładniejsze symulowanie charakterystyk przejściowych.

W sektorze energoelektroniki i motoryzacji istnieje zapotrzebowanie na wstępne prognozy poziomu generowanych zaburzeń EMI i rozpraszania mocy systemu. Niezbędne są do tego modele SPICE półprzewodników dużej mocy, umożliwiające przewidywanie sprawności energetycznej, emisji EMI i innych istotnych parametrów.

Nowe modele G2 SPICE są tworzone przy użyciu modelu makro, łączącego wiele mniejszych modeli składowych, reprezentujących charakterystykę elektryczną za pomocą kilku elementów nieliniowych i arbitralnej funkcji ciągłej. Symulacje przełączania są bliższe wartościom z rzeczywistych pomiarów, dzięki zwiększonej dokładności krzywej I_D-V_DS i charakterystyki pojemności pasożytniczej.

Dostępne na stronie internetowej Toshiba modele G2 są dostępne do tranzystorów MOSFET niskonapięciowych (12...300 V) średniego i dużego napięcia (400...900 V).