Pamięci LPSRAM o pojemności 1 Mb i 4 Mb z korekcją ECC

Alliance Memory rozszerza ofertę asynchronicznych pamięci SRAM o małym poborze mocy (LPSRAM) o nowe układy o pojemności 1 Mb i 4 Mb z wbudowanym mechanizmem korekcji błędów ECC. W porównaniu z pamięciami poprzedniej generacji, AS6CE1016A (1 Mb) i AS6CE4016B (4 Mb) wykazują dłuższy czas bezawaryjnej pracy i mniejszy współczynnik SER (Soft Error Rate). Nadają się do zastosowań w aplikacjach konsumenckich, przemysłowych, komunikacyjnych i medycznych.

AS6CE1016A i AS6CE4016B zapewniają retencję danych przy napięciu 1,5 V i prądzie zasilania odpowiednio 1 µA i 2 µA. Ich zakres napięcia zasilania wynosi 2,7...3,6 V, a wszystkie wejścia i wyjścia są kompatybilne z poziomami TTL.