Sterownik bramek tranzystorów IGBT i SiC MOSFET o napięciu izolacji 3,75 kV rms

RAJ2930004AGM to kolejny sterownik bramek tranzystorów IGBT i SiC MOSFET z oferty firmy Renesas, przeznaczony do zastosowań głównie w falownikach pojazdów o zasilaniu elektrycznymi i hybrydowym. Jest przystosowany do współpracy z tranzystorami o napięciu przebicia 1200 V i zapewnia izolację do 3,75 kV rms. Dla porównania, sterowniki wcześniejszej generacji zapewniały izolację jedynie do 2,5 kV rms. Dodatkową zaletą jest odporność na impulsy przepięciowe o szybkości narastania do 150 V/ns, niezbędna w systemach sterowania falowników. Współczynnik CMTI (Common Mode Transient Immunity) układu wynosi 150 V/ns.

RAJ2930004AGM zawiera zabezpieczenie nadprądowe i podnapięciowe. Może pracować z maksymalnym prądem wyjściowym 10 A. Jest zamykany w obudowie SOIC-16. Jego zakres dopuszczalnej temperatury pracy rozciąga się od -40 do +125°C (Tj do 150°C).