Seria 650- i 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET o zredukowanych stratach na przełączanie
Toshiba Electronics rozszerza ofertę tranzystorów MOSFET 3. generacji, produkowanych na podłożach SiC. Nowa seria TWxxxZxxxC obejmuje tranzystory polecane do zastosowań w instalacjach przemysłowych, w tym w stacjach ładowania pojazdów, zasilaczach UPS i fotowoltaice, zamykane w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247-4L(X). Dodatkowe wyprowadzenie źródła pozwala zmniejszyć indukcyjność resztkową i skrócić czas przełączania. Przykładowy model TW045Z120C w porównaniu z wcześniejszym odpowiednikiem TW045N120C, zamykanym w standardowej obudowie TO-247-3, wykazuje mniejsze straty przy włączaniu i wyłączaniu o odpowiednio 40% i 34%.
W ramach serii TWxxxZxxxC dostępnych jest 5 tranzystorów 650-woltowych i 5 tranzystorów 1200-woltowych. Charakteryzują się one rezystancją RDS(ON) wynoszącą od 15 do 140 mΩ i dopuszczalnym ciągłym prądem drenu do 100 A. W zestawieniu z małym ładunkiem QGD, zapewniają małe straty, również w aplikacjach wysokoczęstotliwościowych.
