650-woltowe stopnie mocy EcoGaN z wewnętrznym tranzystorem HEMT GaN i sterownikiem bramek

Firma Rohm opracowała serię układów zasilających EcoGaN BM3G0xxMUV-LB z wewnętrznymi 650-woltowymi tranzystorami HEMT GaN i sterownikami bramek, pozwalających zmniejszyć gabaryty i straty mocy w układach zasilania do aplikacji przemysłowych i konsumenckich. Obecnie są one dostępne w dwóch wariantach, BM3G015MUV-LB i BM3G007MUV-LB, różniących się m.in. rezystancją kanału i poborem prądu. Charakteryzują się szerokim zakresem wejściowego napięcia sterowania, wynoszącym od 2,5 do 30 V, zapewniając kompatybilność z niemal każdym układem sterującym.

Mogą stanowić zamienniki superzłączowych tranzystorów krzemowych, pozwalające zmniejszyć wymaganą powierzchnię montażową i straty mocy. Są zamykane w obudowach VQFN046V8080 o wymiarach 8,0 x 8,0 x 1,0 mm i rozstawie wyprowadzeń 0,5 mm. Do obu modeli firma Rohm oferuje zestawy ewaluacyjne (ozn. BM3G007MUV-EVK-00, BM3G015MUV-EVK-00).