Tranzystory IGBT o napięciu przebicia 1350 V i dopuszczalnej temperaturze pracy od -55 do +175°C
STMicroelectronics wprowadza do oferty nową klasę tranzystorów IGBT, wyróżniających się napięciem przebicia zwiększonym do 1350 V i dopuszczalną temperaturą pracy +175°C. Parametry te poszerzają margines bezpieczeństwa i niezawodność w ciężkich warunkach środowiskowych, m.in. w indukcyjnych systemach grzewczych. Tranzystory serii STPOWER IH2 pozwalają zmniejszyć straty mocy podczas przewodzenia, dzięki małemu napięciu nasycenia VCE(sat), wynoszącemu typowo 1,7 V przy pracy z pełnym obciążeniem. Wewnętrzna dioda zabezpieczająca charakteryzuje się małym spadkiem napięcia i małą energią wyłączania, co pozwala zwiększyć sprawność w quasi-rezonansowych konwerterach DC-DC, pracujących z częstotliwością taktowania od 16 do 60 kHz. Ogólnie, nowe tranzystory STPOWER IH2 pozwalają zredukować straty mocy do 11% w aplikacjach 2 kW w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami. Ich dodatni współczynnik temperaturowy napięcia VCE(sat) i mały rozrzut parametrów pomiędzy różnymi egzemplarzami, ułatwiają równoległe łączenie kilku tranzystorów w aplikacjach dużej mocy.
Pierwsze dwa tranzystory, oferowane w ramach serii STPOWER IH2 to STGWA25IH135DF2 i STGWA35IH135DF2 o prądach drenu odpowiednio 25 A i 35 A. Oba są zamykane w standardowych obudowach TO-247. Ich ceny hurtowe wynoszą odpowiednio 1,39 USD i 1,69 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
