Podwójne tranzystory RET z wbudowanymi rezystorami w obudowach o wymiarach 2 x 2 x 0,65 mm

Nexperia powiększa ofertę tranzystorów bipolarnych RET (Resistor-Equipped Transistor) z wbudowanymi rezystorami polaryzującymi o wersje podwójne, zamykane w obudowach DFN2020(D)-6 o wymiarach 2 x 2 x 0,65 mm. Mogą one znaleźć zastosowanie m.in. jako przełączniki zasilania w smartfonach, urządzeniach przenośnych oraz wszędzie tam, gdzie krytycznym parametrem są wymiary podzespołów.

Nowa seria PIMxxxx obejmuje w sumie 12 typów tranzystorów, w tym 6 z kwalifikacją "samochodową" AEC-Q101. Każdy z nich zawiera po dwa tranzystory (w zależności od wersji 2 x PNP, 2 x NPN lub po jednym PNP i NPN) z rezystorem 10 kΩ w obwodzie baza-emiter oraz rezystorem bramki 1 kΩ lub 2,2 kΩ. Wszystkie charakteryzują się mocą znamionową 1 W, napięciem VCEO równym 50 V i dopuszczalnym prądem kolektora 500 mA.

 

Typ

RB

RBE

VCE0

IO

Ptot

AEC-Q101

PIMC31PA

NPN/PNP

1 kΩ

10 kΩ

50 V

500

mA

500

mW

nie

PIMC31PAS-Q

tak

PIMC32PA

2,2 kΩ

nie

PIMC32PAS-Q

tak

PIMN31PA

NPN/NPN

1 kΩ

nie

PIMN31PAS-Q

tak

PIMN32PA

2,2 kΩ

nie

PIMN32PAS-Q

tak

PIMP31PA

PNP/PNP

1 kΩ

nie

PIMP31PAS-Q

tak

PIMP32PA

2,2 kΩ

nie

PIMP32PAS-Q

tak

 

Zapytania ofertowe
Podwójne tranzystory RET z wbudowanymi rezystorami w obudowach o wymiarach 2 x 2 x 0,65 mm
Zapytanie ofertowe