100-woltowe podwójne tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Firma Rohm wprowadza na rynek podwójne tranzystory MOSFET o napięciu znamionowym 100 V, przeznaczone do zastosowań głównie z układach napędowych silników BLDC. Występują one w wersjach z dwoma tranzystorami n-kanałowymi (HP8KEx, HT8KEx) oraz z tranzystorem n- i p-kanałowym (HP8MEx), zamykanych w obudowach HSOP8 i HSMT8 o wymiarach odpowiednio 6,0 x 5,0 x 1,0 mm i 3,3 x 3,3 x 0,8 mm. Zajmują na płytce drukowanej ponad dwukrotnie mniejszą powierzchnię w porównaniu z dwoma konwencjonalnymi tranzystorami, zamykanymi w obudowach TO252 i SOP8. W zależności do wersji mogą pracować z dopuszczalnym prądem drenu od 7 do 24 A, a ich rezystancja RDS(ON) wynosi już od 15,1 mΩ.
|
|
Kanał |
VDSS [V] |
ID [A] @ 25°C |
PD [W] @ 25°C |
RDS(ON) [mΩ] |
Obudowa |
|||
|
VGS=10 V |
VGS=4,5 V |
||||||||
|
typ. |
maks. |
typ. |
maks. |
||||||
|
HP8ME5 |
N+P |
100 |
8,5 |
20 |
148 |
193 |
200 |
300 |
HSOP8 (6,0 x 5,0 x 1,0 mm) |
|
-100 |
-8,0 |
210 |
273 |
233 |
303 |
||||
|
HP8KE6 |
N+N |
100 |
17 |
21 |
41 |
54 |
53 |
73 |
|
|
HP8KE7 |
24 |
26 |
15,1 |
19,6 |
18,6 |
27,8 |
|||
|
HT8KE5 |
7 |
13 |
148 |
193 |
200 |
300 |
HSMT8 (3,3 x 3,3 x 0,8 mm) |
||
|
HT8KE6 |
13 |
14 |
44 |
57 |
56 |
83 |
|||
