Tranzystory MOSFET w innowacyjnych obudowach o małej powierzchni i małej rezystancji RDS(ON)
Podsystemy samochodowe, krytyczne ze względu bezpieczeństwa, takie jak układy kierownicze, hamulcowe i systemy jazdy autonomicznej, zazwyczaj wymagają równoległego łączenia kilku tranzystorów MOSFET, aby spełnić wymagania w zakresie redundancji. Niezbędne są tu tranzystory mocy o dużej gęstości prądu i małych gabarytach. Do tego typu zastosowań firma Toshiba opracowała dwa 40-woltowe modele n-kanałowe z kwalifikacją AEC-Q101, produkowane w nowym procesie technologicznym U-MOS IX-H i zamykane w innowacyjnych obudowach S-TOGLTM (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) o wymiarach 8,44 x 7,0 x 2,3 mm. Ich dopuszczalna temperatura kanału wynosi +175°C.
XPJR6604PB i XPJ1R004PB charakteryzują się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu odpowiednio 200 A i 160 A oraz dopuszczalnym prądem impulsowym odpowiednio 600 A i 480 A. Są to wartości nawet 3-krotnie większe niż w przypadku tranzystorów zamykanych w standardowych obudowach DPak+ (9,5 x 6,5 mm). Ich wielowyprowadzeniowa konstrukcja pozwala znacznie obniżyć rezystancję przewodzenia, a wyprowadzenia typu gull-wing zmniejszają naprężenia podczas montażu, zwiększając niezawodność.
W porównaniu z tranzystorami wcześniejszych serii, zamykanymi w obudowach TO-220SM(W), XPJR6604PB i XPJ1R004PB charakteryzują się rezystancją RDS(ON) odpowiednio 0,66 mΩ i 1,0 mΩ, mniejszą średnio o 11% oraz powierzchnią montażową mniejszą o 55%. Ich rezystancja termiczna kanał-obudowa została ograniczona do odpowiednio 0,4°C/W i 0,67°C/W.
