Superzłączowe 600-woltowe tranzystory MOSFET w niskoprofilowych obudowach SOT-223-3
Firma Rohm wprowadza do oferty 5 nowych, superzłączowych tranzystorów MOSFET, zamykanych w niskoprofilowych obudowach SOT-223-3 o wymiarach 7,0 x 6,5 x 1,7 mm, mniejszych pod względem powierzchni i grubości odpowiednio o 31% i 27% od poprzednich wersji, zamykanych w obudowach TO-252. Charakteryzują się one krótkimi czasami przełączania i regeneracji. Identyczny rozkład wyprowadzeń, jak w przypadku standardu TO-252, umożliwia montaż na wcześniej zaprojektowanych płytkach drukowanych, bez konieczności wprowadzania modyfikacji w projektach. W zależności od wersji, dopuszczalny prąd drenu wynosi od 1,0 A do 2,8 A.
Model R6004END4 wyróżnia się małymi szumami, a R6003KND4 i R6006KND4 to tranzystory o dużej szybkości przełączania, polecane do zastosowań w aplikacjach wymagających dużej sprawności energetycznej. Z kolei R6002JND4 i R6003JND4 to tranzystory zrealizowane w technologii PrestoMOS o małych stratach przy pracy impulsowej, wynikających z krótkiego czasu regeneracji (trr) na poziomie 40 ns.
Na stronie internetowej firmy Rohm jest dostępna pełna dokumentacja tranzystorów z nowej oferty, włącznie z notami aplikacyjnymi i modelami do symulacji Spice.
|
|
VDSS |
ID |
RDS(ON) @ VGS=15 V |
trr |
QG [nC] @ VGS=15 V |
|
|
typ. |
maks. |
|||||
|
R6004END4 |
600 V |
2,4 A |
0,9 Ω |
0,98 Ω |
320 ns |
15 nC |
|
R6003KND4 |
1,3 A |
1,3 Ω |
1,5 Ω |
240 ns |
8 nC |
|
|
R6006KND4 |
2,8 A |
0,72 Ω |
0,87 Ω |
290 ns |
12 nC |
|
|
R6002JND4 |
1,0 A |
2,5 Ω |
3,25 Ω |
40 ns |
7 nC |
|
|
R6003JND4 |
1,3 A |
1,65 Ω |
2,15 Ω |
42 ns |
8 nC |
|
