Tranzystor GaN FET z wbudowanym sterownikiem bramki i czujnikiem prądu wyjściowego
LMG3622 to 650-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) równej 120 mΩ, zamykany w obudowie QFN o powierzchni 8 x 5,3 mm. Jest on polecany do zastosowań w zasilaczach impulsowych, gdzie pozwala ograniczyć liczbę komponentów, dzięki wbudowanemu sterownikowi bramki i czujnikowi prądu wyjściowego. Czujnik ten emuluje rezystor szeregowy current-sense, natomiast w porównaniu z nim zapewnia mniejsze straty mocy.
Kolejne zalety LMG3622 to wbudowane zabezpieczenie podnapięciowe, ogranicznik prądu wyjściowego, wyjście sygnalizujące osiągnięcie dopuszczalnej temperatury pracy oraz możliwość programowania szybkości narastania napięcia wyjściowego, pozwalająca kontrolować poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. LMG3622 pobiera w stanie spoczynkowym i standby odpowiednio 240 µA i 50 µA prądu.
