650-woltowe tranzystory IGBT do zasilaczy impulsowych i układów korekcji PFC

Tranzystory IGBT serii BID, łączące zalety bramki MOS i tranzystora bipolarnego, nadają się idealnie do zastosowań w aplikacjach wysokoprądowych i wysokonapięciowych. Zaawansowana tu technologia produkcji Trench-Gate Field-Stop, zapewnia bardzo dobrą kontrolę charakterystyk dynamicznych, pozwalając na zredukowanie napięcia nasycenia V_CE(sat) i zmniejszenie strat na przełączanie. Dodatni współczynnik temperaturowy napięcia V_CE(sat) i mały rozrzut parametrów, zwiększają bezpieczeństwo pracy w przypadku łączenia równoległego tranzystorów.

Nowa oferta obejmuje 4 typy tranzystorów o napięciu V_CE równym 650 V i prądzie przewodzenia od 40 do 75 A @ +100°C. Wszystkie są zamykane w obudowach TO-247-3L. Mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od -40 do +175°C. Charakteryzują się napięciem V_CE(sat) od 1,35 do 1,65 V. Ich zakres zastosowań obejmuje głównie zasilacze impulsowe i UPS oraz układy korekcji PFC.