650-woltowe tranzystory CoolGaN G5 o małych stratach i dużej gęstości mocy
Infineon informuje o wprowadzeniu na rynek nowej rodziny 650-woltowych tranzystorów CoolGaN 650 V G5, realizowanych na podłożach z arsenku galu. Są to tranzystory projektowane z myślą o zastosowaniach w przemysłowych i konsumenckich zasilaczach impulsowych, ładowarkach USB-C, systemach energii odnawialnej i układach napędowych. Mogą stanowić zamienniki wprowadzonych wcześniej na rynek 600-woltowych tranzystorów CoolGaN G1, pozwalające na szybką adaptację we wcześniejszych projektach. W porównaniu zarówno z produktami konkurencyjnymi, jak i z wcześniejszymi odpowiednikami, wykazują nawet o 50% mniejszą energię magazynowaną w pojemności wyjściowej (Eoss), do 60% mniejszy ładunek dren-źródło (Qoss) i do 60% mniejszy ładunek bramki (Qg). Cechy te zapewniają bardzo dobre parametry w układach impulsowych, pracujących w trybach hard-switching i soft-switching, a w porównaniu z odpowiednikami krzemowymi, pozwalają ograniczyć straty mocy o 20%...60% w zależności od konkretnej aplikacji. To z kolei oznacza dużą gęstość mocy i mniejsze gabaryty urządzeń końcowych.
Nowa oferta obejmuje tranzystory zamykane w obudowach SMD typu ThinPAK 5x6, DFN 8x8, TOLL i TOLT, produkowane na zakres rezystancji RDS(on) od 25 do 270 mΩ i na zakres prądów drenu od 7,2 do 70 A (do 120 A w impulsie). Charakteryzują się one ładunkiem bramki już od 1 nC. Są odporne na wyładowania ESD do 2 kV (HBM). Mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od -55 do +150°C.
