40-woltowy tranzystor MOSFET w obudowie PowerPAK 10x12 o rezystancji RDS(ON) równej 0,34 mΩ

Firma Vishay Siliconix powiększa ofertę małostratnych tranzystorów MOSFET do układów zasilania i napędowych o nowy 40-woltowy model SiJK140E. Jest to tranzystor n-kanałowy, zamykany w obudowie PowerPAK 10x12 o małej rezystancji termicznej (0,21 °C/W) i charakteryzujący się małą rezystancją R_DS(ON), wynoszącą typowo 0,34 mΩ przy napięciu sterowania V_GS=10 V. Pomimo niewielkich gabarytów, jest w stanie przewodzić ciągły prąd drenu o natężeniu do 795 A @ T_C=25°C (562 A @ T_C=100°C), co predestynuje go do zastosowań w aplikacjach o dużej gęstości mocy. Wynika to z zastosowania wysokoprądowych wewnętrznych połączeń BWL (bond-wireless), których dodatkową zaletą jest mała indukcyjność resztkowa.

SiJK140E to tranzystor zrealizowany w procesie TrenchFET 5. generacji. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami o tej samej powierzchni obudowy, charakteryzuje się mniejszą o 32% rezystancją kanału, natomiast w porównaniu z 40-woltowymi tranzystorami, zamykanymi większych i grubszych w obudowach TO-263-7L, rezystancja ta jest mniejsza o 58%. Pozwala to w wielu aplikacjach wyeliminować konieczność równoległego łączenia dwóch tranzystorów, co przekłada się na mniejszą awaryjność.

SiJK140E może pracować w zakresie dopuszczalnej temperatury złącza od -55 do +175°C. Producent poleca go do zastosowań m.in. w prostownikach synchronicznych, przełącznikach hot-swap, elektronarzędziach, systemach zarządzania akumulatorem (BMS), spawarkach, przecinarkach plazmowych i robotach.