Toshiba powiększa ofertę 650-woltowych tranzystorów MOSFET o cztery zminiaturyzowane wersje o oznaczeniach TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C i TW123V65C, zamykane w obudowach DFN 8 x 8 mm o mniejszej o ponad 90% powierzchni od standardu TO-247. Są to tranzystory 3. generacji o małych stratach przy pracy impulsowej, wynikających z małego iloczynu RDS(ON) x QGD. Ich typowe zastosowania obejmują zasilacze impulsowe, stacje ładowania, zasilacze UPS i falowniki fotowoltaiczne. Poza małymi gabarytami, dodatkową zaletą jest podwójna elektroda źródła, poprawiającą parametry przełączania tranzystora. W specyficznych warunkach testowych (VDD=400 V, VGG=+18/0 V, ID=20 A, RG=4,7 Ω, L=100 µH), model TW054V65C pozwala zredukować straty przy włączaniu i wyłączaniu o odpowiednio 55% i 25% w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami.
TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C i TW123V65C to tranzystory o dopuszczalnym prądzie drenu odpowiednio 53 A, 36 A, 27 A i 18 A. Wszystkie mogą pracować z napięciem sterowania od -10 do +25 V. Ich rezystancja RDS(ON) i ładunek QG wynoszą odpowiednio 31 mΩ/65 nC, 54 mΩ/41 nC, 92 mΩ/28 nC i 123 mΩ/21 nC.
Więcej na: www.toshiba.semicon-storage.com
