Do oferty firmy Infineon wchodzi nowa seria tranzystorów CoolSiC MOSFET 2. generacji o napięciach znamionowych 400 V i 440 V. Są to komponenty wykonane w technologii SiC, pozwalającej na uzyskanie mniejszych strat na przewodzenie i przełączanie w porównaniu z krzemowymi odpowiednikami. Nowe tranzystory są dostępne w obudowach TOLL, TO-247-3, TO-247-4 oraz w wersji top-side-cooled TOLT, co zapewnia szybkie odprowadzanie ciepła i pozwala zwiększyć gęstość mocy.
Tranzystory CoolSiC MOSFET 2. generacji charakteryzują się rezystancją RDS(ON) wynoszącą od 11 do 45 mΩ. Ich mały współczynnik temperaturowy RDS(ON) ogranicza wzrost strat przewodzenia przy podwyższonej temperaturze złącza. Niewielkie wartości ładunków Qgd, Qoss i Qfr oraz energii Eoss, zapewniają szybkie przełączanie przy zachowaniu bardzo dobrej stabilności i małych strat dynamicznych. Konstrukcja tranzystorów zapewnia liniową charakterystykę pojemności Coss i dużą szybkość narastania napięcia (slew rate). Wszystkie tranzystory z nowej oferty są w 100% testowane pod kątem odporności na zjawisko przebicia lawinowego. Dzięki płaskiej charakterystyce RDS(ON) w funkcji temperatury złącza, zapewniają mniejsze do 50% straty na przewodzenie od 250- i 300-woltowych krzemowych tranzystorów MOSFET. Ich zakres zastosowań obejmuje zasilacze serwerowe dużej mocy, przetwornice DC-DC w systemach energii odnawialnej, zasilacze UPS, wzmacniacze klasy D, układy napędowe oraz elektroniczne wyłączniki półprzewodnikowe.
Więcej na: www.infineon.com
