Infineon wprowadza do produkcji pierwszą serię 100-woltowych tranzystorów mocy, wykonanych w technologii GaN, które uzyskały kwalifikację AEC-Q101, pozwalającą na zastosowania w motoryzacji. Są to elementy przeznaczone do pracy w systemach niskonapięciowych pojazdów, w tym w przetwornicach DC/DC, układach sterowania strefowego, wzmacniaczach klasy D oraz systemach pomocniczych, zasilanych z magistrali 48 V.
Technologia GaN umożliwia realizację tranzystorów o znacznie mniejszych stratach przełączania, większej częstotliwości pracy i mniejszej rezystancji kanału w porównaniu z odpowiednikami krzemowymi. Dzięki temu, możliwe jest uzyskanie dużej sprawności energetycznej przy małych wymiarach układu, co ma znaczenie w systemach, w których istotne jest ograniczenie strat energii i masy modułów elektronicznych.
Rodzina 100-woltowych tranzystorów G1 obejmuje m.in. modele IGC033S10S1Q i IGB110S10S1Q, zamykane w obudowach PQFN, zoptymalizowanych pod kątem zapewnienia małej indukcyjności pasożytniczej i szybkiego odprowadzania ciepła.
IGC033S10S1Q, zamykany w obudowie o powierzchni 5 x 3 mm, może pracować z maksymalnym prądem ciągłym 76 A w temperaturze +25°C. Jego prąd impulsowy może osiągać 700 A, a całkowity ładunek bramki QG wynosi 11 nC, co umożliwia szybkie przełączanie przy małych stratach dynamicznych. Rezystancja RDS(ON) wynosi typowo 2,4 mΩ, a maksymalnie 3,3 mΩ. IGB110S10S1Q to mniejszy wariant, zamykany w obudowie PQFN o powierzchni 3 x 3 mm, przeznaczony do pracy z mniejszymi obciążeniami. Jego maksymalny prąd ciągły wynosi 23 A, prąd impulsowy 210 A, ładunek bramki 3,4 nC, a rezystancja RDS(ON) to typowo 9,4 mΩ i maksymalnie 11 mΩ.
Zastosowanie tranzystorów GaN w układach 48 V zapewnia znaczną poprawę sprawności energetycznej w porównaniu z tranzystorami krzemowymi, szczególnie w przetwornicach o dużej częstotliwości przełączania. Pozwala to na zmniejszenie liczby elementów pasywnych i masy całego układu, a także na uzyskanie mniejszych strat cieplnych. W kontekście pojazdów z architekturą sterowaną programowo (software-defined vehicles), tranzystory te mogą być stosowane w modułach realizujących sterowanie elektroniczne funkcjami nadwozia, w tym w systemach steer-by-wire oraz w aktywnych układach zawieszenia, gdzie wymagana jest szybka i energooszczędna konwersja mocy.
Więcej na: www.infineon.com
