Toshiba wprowadza na rynek 6 nowych n-kanałowych tranzystorów MOSFET rodziny DTMOSVI 600 V, zamykanych w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247-4L(X). Zostały one zaprojektowane pod kątem minimalizacji strat przy pracy impulsowej. Nadają się do zastosowań w serwerowych układach zasilania w centrach danych, przemysłowych zasilaczach impulsowych i stabilizatorach napięcia w generatorach fotowoltaicznych. Dzięki zoptymalizowanej konstrukcji bramki, wykazują mniejszą o około 13% rezystancję RDS(ON) na jednostkę powierzchni, a iloczyn FOM (RDS(ON) x Qgd) został zredukowany o ponad 50% w porównaniu z tranzystorami poprzedniej generacji z serii DTMOSIV-H o tym samym napięciu VDS. Dla przykładowego modelu TK024Z60Z1, typowa wartość RDS(ON) wynosi 20 mΩ, a Qgd to 37 nC. Przekłada się to na lepszy kompromis między stratami przewodzenia i przełączania, co pozwala zwiększyć sprawność energetyczną układów zasilania.
Tranzystory TKxxxZ60Z1 są produkowane w 4-pinowych obudowach TO-247-4L(X), zawierających oddzielną linię źródła do sterowania bramką. Redukuje to wpływ dużej indukcyjności wyprowadzenia źródła wewnątrz obudowy, co jest częstym problemem w konwencjonalnych obudowach 3-pinowych. Indukcyjność ta generuje napięcie przeciwelektromotoryczne, zmniejszające efektywne napięcie sterowania bramką, spowalniając szybkość przełączania tranzystora. Obudowa 4-pinowa zawiera dodatkową linię źródła, umiejscowioną blisko struktury FET, dzięki czemu napięcie VGS odpowiada w przybliżeniu napięciu sterowania bramką.
Więcej na: www.toshiba.semicon-storage.com
